【0524今日热点】格力之后，康佳宣布进军半导体；三星欲超台积电，直指第二大芯片铸造商；雄安打造全球集成电路创新高地

又一家电巨头进军半导体

近日，康佳对外宣布成立半导体科技事业部，将重点布局节能半导体、新材料、环保等领域，康佳产品与大量半导体市场需求相连，且业务发展形成技术积累与人才优势，康佳将重点在半导体设计、半导体制造、半导体设备、半导体材料等方面布局，重点发力存储芯片、物联网器件与光电器件。

康佳集团副总裁李宏韬表示，康佳将重点在存储芯片和封测等领域投资，自主研发，也会考虑收购等方式，但晶圆制造这些重资产不会投，会选择聪明的方式来做。希望用5-10年时间，跻身国际优秀半导体公司行列，致力于成为中国前十大半导体公司，年营收过百亿元。

三星欲超台积电，直指第二大芯片铸造商

据BusinessKorea北京时间5月23日报道，三星电子计划大力发展其芯片铸造业务，在这一背景下，该公司22日在美国召开了其年度铸造论坛（Foundry Forum）。三星希望，在今年成为仅次于台积电的全球第二大芯片铸造商。

今年的三星铸造论坛在加州圣克拉拉举行。许多没有晶圆厂的芯片公司参加了活动，包括高通。在第三届年度活动上，三星展示了7纳米芯片制造工艺，和用于物联网和指纹识别领域的半导体生产技术等等。三星还将分别于6月14日、7月5日、9月4日和10月18日在上海、首尔、东京和慕尼黑举办相同的活动。

在去年5月，三星电子将其System LSI部门的铸造业务团队升级成了单独的业务部门。三星执行副总裁Jung Eun-seung目前正领导该部门，对他的任命显示出，三星十分渴望增强其非内存业务。与内存业务相比，三星的铸造业务还有很长的路要走。据市场研究公司IHS Markit，按营收计算，三星截至2017年年底在全球芯片铸造市场的份额为6.72%，而台积电的市场份额高达50.41%。

不过，三星正计划在今年将其市场份额增至10%以上，营收至少达100亿美元，从而超过GlobalFoundries和联华电子。为此，三星正计划在今年下半年开始试产基于EUV的7纳米芯片。为了吸引更多的铸造客户，三星于今年年初推出了“先进铸造生态系统”计划，为自动化系统提供设计工具。此外，它还开始为关键客户提供“多项目晶圆”（Multi Project Wafer）服务，在单个晶片上生产多种芯片。

三星电子决定在7纳米或更先进制程中采用EUV设备，以提高它在精密加工市场的竞争力。一台EUV设备定价高达2000亿韩元，因此维护和运行这些设备需要很高的成本和技术水平。EUV可以绘制更复杂的电路，因为它的波长很短，但同时它也需要极高的精度。尽管存在诸多风险，三星电子还是购买了超过10套EUV设备，并成功地以稳定方式使用。高通是新技术的首家客户。据报道，三星电子将利用7纳米工艺为高通制造骁龙855处理器，时间预计在今年底或明年初。

三星电子还在向其他客户推广其7纳米工艺。相比10纳米工艺，7纳米工艺可以让产品面积缩小40%，并将芯片性能提高10%，在性能相同时将能耗减少35%。这意味着，三星电子将能够为移动设备、网络设备、服务器和加密货币采矿业制造出更先进的半导体芯片。

雄安打造全球集成电路创新高地

援引澎湃新闻消息，河北省政府办公厅出台意见，在雄安新区布局建设国家实验室、国家重点实验室、工程研究中心等一批集成电路领域国家级创新平台，努力打造全球集成电路创新高地……

日前，省政府办公厅印发《关于加快集成电路产业发展的实施意见》提出，在雄安新区布局建设国家实验室、国家重点实验室、工程研究中心等一批集成电路领域国家级创新平台，努力打造全球集成电路创新高地。

全省目标

到2020年，全省集成电路产业主营业务收入年均增速30%以上，引进5-10家集成电路上下游企业，培育3-5家具有国内领先水平的集成电路设计服务及集成电路专用材料企业，新建3-5家省级以上重点实验室、企业技术中心等研发平台。力争打造全球集成电路创新高地、国内最大的电子特气研发生产基地、带动作用明显的集成电路产业军民融合示范基地。

实施集成电路产业聚集工程

在雄安新区布局建设国家实验室、国家重点实验室、工程研究中心等一批集成电路领域国家级创新平台，努力打造全球集成电路创新高地。石家庄重点发展微波集成电路设计、射频集成电路设计等，打造全国领先的专用集成电路设计制造基地。鼓励石家庄、保定、廊坊等条件适宜地区积极引进国内外专用集成电路芯片制造、封装测试企业，承接北京等地科研成果孵化转化，构建专用集成电路设计、制造、封装测试产业链条。

实施集成电路产业“固基”工程

以高性能化、绿色化发展为主攻方向，持续提升良品率和市场导入率。加快基础材料技术改造步伐，提升产品技术水平和质量档次，进一步巩固国内市场优势地位。推进第五代移动通信用钇铁石榴石晶体材料的研发与产业化，打破国外技术垄断。积极引进发展高端靶材等集成电路电子材料，不断提升行业配套能力。

实施“强芯”工程

支持提升现有双模导航接收芯片等设计水平，推进向高端化、微型化、长寿命、低功耗发展。推动第三代北斗导航高精度芯片、太赫兹芯片、卫星移动通信射频终端芯片研发及产业化。引导芯片设计企业与汽车、机器人、物联网、第五代移动通信等领域整机企业合作开发和应用，实现自主芯片行业规模应用。

培育发展专用集成电路制造业

支持专用集成电路优势企业根据自身发展需求，推进芯片设计与制造一体化发展。改造提升现有的特色专用工艺生产线，不断扩大生产规模。加快推进高端传感器、微机电系统器件等产品研发和产业化，壮大功率器件和微波集成电路产业。开展关键设备研发和产业化。

引进发展集成电路封装测试业

突破高压大功率绝缘栅双极型晶体管模块的封装技术瓶颈，推进陶瓷件精密制造工艺、精密组装工艺等技术研发及产业化，提高封装外壳一致性水平，满足第四代、第五代移动通信需要。引进一批国内外知名集成电路封装测试企业，加快推进芯片测试、检测、封装等生产线建设，推动集成电路封装设备及材料产业化，形成与制造、设计环节发展相适应的配套能力，尽快形成集群优势。

提升集成电路技术创新能力

巩固提升通信软件与专用集成电路设计国家工程研究中心、砷化镓集成电路和功率器件国家重点实验室、高密度集成电路封装技术国家地方联合工程实验室等国家级研发创新平台建设水平。支持企业加强与国内外集成电路领域知名科研院所及企业合作，建设省级以上重点实验室等研发平台，建立以企业为主体、市场为导向、产学研深度融合的技术创新体系，突破一批核心技术。

实施军民融合发展工程

加快建设邯郸（军民融合）国家级新型工业化产业示范基地和石家庄军民融合产业示范园，积极推进“军转民”，加快省内军工科研单位民品产业化，重点推进电子特气、微机电系统（MEMS）器件、高端传感器及太赫兹芯片、模块，以及第三代北斗导航与位置服务产业链应用等科技成果产业化步伐，积极推动微机电系统（MEMS）器件及高端传感器在汽车电子、工业控制、物联网、智慧城市等领域的应用，第三代北斗导航在雄安新区、2022年冬奥会开展应用。鼓励“民参军”，支持芯片设计、第三代半导体材料等领域具有先进技术的民口单位承担军工科研生产任务，建设带动作用明显的集成电路产业军民融合发展基地。

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