星电子展示了全球首款5nm MRAM

在2026年度IEEE VLSI研讨会上,三星电子展示了全球首款5nm MRAM(磁性随机存取存储器)的研发成果,并称将按2024年定下的路线图,朝2027年量产的目标推进。

在2026年度IEEE VLSI研讨会上,三星电子展示了全球首款5nm MRAM(磁性随机存取存储器)的研发成果,并称将按2024年定下的路线图,朝2027年量产的目标推进。


MRAM把DRAM的速度和NAND的非易失性结合在一起——既快,又能像闪存一样断电不丢数据。 

跟DRAM比,它最大的好处是非易失性:不用像DRAM那样每隔几毫秒就刷新一次来保住数据,几乎可以无限期地把信息留住。少了这个反复刷新的动作,能效就上去了。这也是它在低功耗场景里被看好的根本原因。

这是三星MRAM工艺的新进展。

今年4月,三星刚在ISSCC 2026上展示了全球首款8nm FinFET工艺的MRAM,达到量产级良率,写入速度比上一代14nm快62.5%、密度提升11.5%。而8nm(2026)、5nm(2027)这个节奏,本来就是三星2023年就规划好的eMRAM路线图。这次5nm成果亮相,等于按计划又走了一步。

这次三星特别强调的几个指标都指向汽车:工作温度范围-40~+150℃,满足AEC-Q100标准,能在极端冷热环境里稳定工作。

车这个场景对MRAM特别友好。MRAM读写快、高温下也能稳定工作,加上非易失特性,在电动车和自动驾驶时代被视为很有前景的嵌入式存储,主要用来替代传统的车规eFlash。

本文来源于DOIT传媒,文章内容仅供参考,不构成投资建议。

赞 ()

相关推荐

发表回复

评论列表

点击查看更多

    联系我们

    微信:百易小助手

    邮件:contact@doit.com.cn

    工作时间:周一至周五,9:30-18:30,节假日休息

    微信