铠侠与闪迪发布332层BiCS 10 3D NAND样品,瞄准AI时代企业级SSD市场

铠侠与闪迪宣布,双方已经开始向客户提供第十代BiCS 3D NAND闪存(BiCS 10)的样品。这一代产品采用332层堆叠设计,相比上一代218层BiCS 8,层数提升约52%,主要面向企业级和数据中心SSD。

铠侠与闪迪宣布,双方已经开始向客户提供第十代BiCS 3D NAND闪存(BiCS 10)的样品。这一代产品采用332层堆叠设计,相比上一代218层BiCS 8,层数提升约52%,主要面向企业级和数据中心SSD。


此次发布的产品容量为1Tb,采用TLC技术。未来,双方还计划基于同一技术推出QLC(四层单元,4 bits/cell)版本,届时单颗芯片容量还可进一步提升约三分之一。

引入两项关键技术

BiCS 10最大的变化,不仅是层数增加,还引入了两项新的工艺技术:

第一项是CBA(CMOS directly Bonded to Array)。该技术将CMOS逻辑晶圆和NAND存储单元晶圆分别制造,再进行键合(Bonding)。相比传统方案,这种设计有助于提升芯片性能,并进一步提高存储密度。

第二项是OPS(On-Pitch Select Gate Drain)技术。通过取消部分无效存储孔,缩短位线(Bit Line)长度,同时降低字线(Word Line)电容,从而提升数据传输效率,并降低功耗。

接口速度提升33%,读写功耗进一步降低

性能方面,BiCS 10采用Toggle DDR6.0接口,并引入SCA(Separate Command Address)协议,接口速度达到4.8Gb/s。

相比BiCS 8,新产品接口带宽提升约33%。与此同时,能效也有所改善:写入能效提升18%读取能效提升30%

对于需要大量部署SSD的AI数据中心而言,更低的功耗意味着整体运营成本进一步下降。

BiCS 9只是过渡产品

值得注意的是,在BiCS 8与BiCS 10之间,铠侠实际上还推出过BiCS 9。

BiCS 9并没有升级NAND存储单元,依然采用218层BiCS 8 NAND,而是更换了新的CMOS逻辑层,因此主要提升的是控制性能,而非存储密度。

相比之下,BiCS 10则同时升级了存储阵列、逻辑设计以及接口标准,属于真正意义上的新一代产品。

采用三段堆叠,而非单体332层

据了解,BiCS 10并非一次性制造完整的332层NAND,而是采用三段100层以上NAND字符串(Triple String Stack)进行堆叠。

这种方式能够降低制造难度,提高良率,目前已经成为超300层3D NAND的重要发展方向。

明年开始量产

BiCS 10预计将于2027年在日本岩手县北上市(Kitakami)第二工厂正式进入大规模生产。

由于铠侠与闪迪长期以合资模式共同运营NAND闪存制造业务,因此双方都会向客户提供BiCS 10样品,并共享工厂产能。

AI推动NAND需求持续增长

铠侠认为,生成式AI的发展仍将持续带动NAND闪存需求增长。

公司CEO太田宏朗(Hiroo Ota)在日本媒体活动上表示,随着Agentic AI(自主智能体)不断普及,以及AI机器人逐渐进入市场,公司将积极扩大产能,以满足持续增长的市场需求。他表示:“我们将坚定地响应市场增长。”

全球300层以上3D NAND竞争加速

随着BiCS 10发布,全球主要NAND厂商已经全面进入300层以上时代。

目前,各厂商的技术进展大致如下:

三星已经推出第十代V-NAND,层数达到400层,同样采用逻辑晶圆与存储晶圆分离制造再键合的方案,三星称其为CoP架构,单颗容量同样达到1Tb。

SK海力士第九代3D NAND达到321层,也采用三段堆叠(Triple String Stack)设计。

美光目前量产产品为276层3D NAND,尚未公布下一代层数规划。

江存储预计也将在未来公布300层级3D NAND技术,进一步加入新一轮技术竞争。

 

随着AI服务器、数据中心以及智能终端对高性能存储需求不断增长,300层以上3D NAND正成为全球闪存厂商竞争的新焦点。预计未来几年,层数、能效、接口速度以及单位成本,将继续成为各家技术演进的核心方向。


本文来源于DOIT传媒,文章内容仅供参考,不构成投资建议。

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