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日本东芝(铠侠)Fab 6晶圆厂发生火灾,其产量占全球NAND芯片总产量的3%至4%

近期三星工厂发生了大约一分钟的断电事故,其华城芯片工厂的部分DRAM和NAND闪存的生产暂停,分析师称这一事件可能有助于抑制三星电子大量芯片库存的增加。

现在,日本Kioxia(前东芝/铠侠)闪存代工厂在1月7日发生了火灾,目前大火已经扑灭。

东芝/Kioxia在致客户的信中表示,火灾对生产的影响正在“调查中”。火灾损坏了四日市Fab 6工厂,一台生产设备部分受损。目前,大火已被扑灭,没有人员伤亡。据悉,Fab 6为Kioxia和西数生产64层和96层3D NAND芯片的工厂,产量占全球NAND芯片总产量的3%至4%。

富国银行高级分析师Aaron Rakers指出,大火发生在晶圆厂的无尘室,该设备已关闭进行检查。

据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查,随着近一个月来DRAM现货价格持续走扬,加上2019年12月31号三星华城厂区发生跳电,虽然整体闪存的供给并没有因此事件受到重大影响,但观察到各产品买方备货意愿进一步增强。

目前来看,虽然锁定季度合约价(quarterly lock-in price)的第一线大客户有机会守住持平,不过原厂的供货达成率(fulfillment rate)不到6成,加上采购端截至去年底皆未积极备货,导致库存偏低,月合约价可能将开始逐月向上。

此外,重复下单(double-booking)的出现亦可能导致原厂的供货达成率进一步恶化,因此第一季DDR3和DDR4的价格预估将较前一季上涨0-5%。

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