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2007年科技回顾:纳米芯片技术发展给存储的影响

2007年1月,美国英特尔公司和IBM公司表示,使用铪金属作为电介质,开发出45纳米线宽的晶体管技术工艺,使芯片的集成度比目前65纳米线宽的技术工艺提高1倍,运行速度提高20%,器件功耗降低30%。这是40年来晶体管技术获得的重大突破。

2007年6月,美国国家标准与技术研究所利用具有较强降噪能力的新型探测系统,研制出高速量子密码分发系统样机。该系统能对视频信号进行实时加密、传输和解密,传输距离达10公里。

2007年9月,IBM公司在《科学》杂志发表两份研究报告,公布其在单原子存储技术和单分子逻辑开关研究方面取得的技术突破,这是纳米技术领域两项最新的重大科学成就。一是用扫描隧道显微镜操纵单个铁原子,并在其上成功地保存了一比特信息。该技术实用后可得到超高密度的存储设备,容量至少相当于目前硬盘的1000倍;二是首次揭示了单分子开关。该技术有望取代当今的硅芯片技术,制造出超微型的处理器,未来超级计算机的体积也许只相当于一粒尘埃,这是迈向建造分子级计算机的一个重大跨越。这些技术突破将推动纳米技术领域的发展,最终制作出原子级的器件和结构,应用于未来的计算机芯片、储存设备、传感器等。

乔治亚工学院成功开发出被称为热化学纳米光刻术(TCNL)的新型纳米光刻术,不仅"刻写"尺寸小、速度快,且能用于包括空气和液体等多种工作环境。新技术每秒钟"刻写"长度超过数毫米,可"刻写"最小宽度仅为12纳米的图案,并具有大规模生产的潜能,在电子业、纳米应用流体学和医学等多领域均有潜在应用前景。

宾夕法尼亚大学开发出一种新型纳米器件—采用自组装工艺形成的直径30-50纳米、长度10微米的纳米线,它能存储10万年的海量电脑数据,检索速度比现有的闪存和微型硬盘等便携式存储设备快1000倍,且更省电、存储空间更小。

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