5月17日消息，据国外媒体报道，惠普研发人员已经在“忆阻器”下一代内存技术方面取得了小的突破，一些人认为它可能会替代当今普遍应用的闪存和DRAM技术。
惠普研发人员在周一《纳米技术》杂志中提到，他们已经掌握了电气操作过程中“忆阻器”内部发生变化时的基本化学性质和结构。
惠普高级研究员Stan Williams说，在此前，尽管工作的忆阻器已在实验室制成，但是研发人员并不清楚在微小结构内部发生了什么。当惠普有信心可以将此项技术商业化时，这一发现将极大地提高计算机和内存的性能。
忆阻器最先是由加州大学一个教授提出来的。在此之前，研究人员只知道3个基本电路原件电阻器，电容器和电感器。几十年后，惠普的研发人员证明了忆阻器是真实存在的，并进一步证明其可以在2个或2个以上电阻之间来回切换，这将使得在数字运算时，他们可以代表1或0。有忆阻器的内存类型叫做ReRAM,具有非易失性的特点。这意味着在电源关闭后设备可以保存这些数据。但对比DRAM，电源关闭后，存储的数据会丢失。
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