三星四季度量产36nm工艺2Gb DDR3芯片

据报道，三星计划在今年四季度开始量产基于36nm制程工艺的2Gb DDR3芯片，在工艺升级上继续遥遥领先日美竞争对手。随着量产时间表的设定，三星明年使用该工艺的DRAM出货量比重将超过50%。

和三星目前的主要46nm处理工艺相比，36nm意味着30%的成本降低，三星2Gb DDR3的平均生产成本将降低到1美元。此前二季度的DRAM内存芯片生产成本遭遇了自2006年三季度以来的首次上涨，三星新工艺芯片的量产相信是个利好消息。

相比之下其竞争对手的工艺升级之路就显得相对缓慢。尔必达目前正在从主流的63nm向45nm迈进，而美光则从50nm向42nm升级。

业界消息称，三星新工艺芯片的量产将会使得他们的芯片价格再次降低，这对于竞争对手可谓是一个坏消息。由于台湾DRAM制造商的技术支持都来自尔必达和美光，DRAM市场的价格战恐再次上演。

根据集邦科技发布的报告，三季度DRAM期货价格环比下降13%。随着1Gb DDR3价格或降至1.50美元，四季度DRAM的期货价格恐还将环比下降20%。

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