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新的行业标准:NAND闪存的瓶颈已经被突破

为了突破NAND闪存瓶颈,三星和东芝制定了一个新的行业标准。这个新的行业标准则是增加10倍的数据速率。

现在所使用的NAND芯片通常是40Mbit / s的单数据速率(SDR)接口。这是个能提供133Mbit / s的双数据速率(DDR)1.0规格的触发器。这样的DDR接口适用于单数据速率的NAND结构。三星和东芝公司希望产生400MBit / s的DDR2.0规格,速度将是DDR1.0的3倍。他们已经完成的这种规格的开发。

三星负责内存营销的副总裁Dong-Soo Jun说,NAND需要更快的发展:"第四代智能手机,掌上电脑和固态硬盘驱动器的广泛应用,将使高性能NAND的开发更加紧迫”。

上个月,在JEDEC固态技术协会上,各公司都开始对新技术的标准化工作。

东芝和三星称DDR 2.0 NAND闪存将直接受益手机和电子产品性能的提高。虽然通过企业存储时将需要英特尔和镁光的支持,但其仍承诺DDR 2.0 将成为一个真正的行业标准。

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