IBM与ARM达成芯片制造合作协议

DoSERV服务器在线2010年1月19日 国际报道：IT巨头IBM负责芯片设计和制造的微电子事业部与ARM控股公司签署合作协议，确保他们ARM芯片的许可证授权可以进行ARM芯片的制造和研发。

ARM控股公司自2008年以来一直与IBM公司微电子事业部进行合作，他们使用IBM的32纳米和28纳米制程工艺节点来制造11测试芯片并授权ARM芯片的Cortex系列。最近，ARM公司使用IBM的32纳米high-K金属门工艺来蚀刻完整的双核Cortex-A9芯片。ARM控股公司还使用IBM的芯片技术来帮助他们自己的许可证持有者来更好的完成系统上芯片设计，这种设计也广泛应用于智能手机，平板电脑和其他移动计算设备。

两家公司都没有对用于未来服务器的ARM设计的潜力发表看法，但是如果你有意愿和制造厂商合作来研发可以与英特尔抗衡的服务器芯片，IBM公司显然是明智的选择之一。在芯片上高速缓存上内置的动态随机存取存储器就是首先配置在IBM的Power7和z11芯片上，采取的是IBM的32纳米制程工艺，去年11月这种设计也出现在ARM的系统上芯片中。电子动态随机存取存取器与静态随机存储器相比，能节省大约60%的使用空间，所消耗的能源可以减少90%。运行速度也要慢一些，因此你需要更多的核心，因为IBM在自己的芯片上就是这么做的。

ARM和IBM今天延长的合作协议主张两家公司在20纳米到14纳米制程工艺的范围内展开芯片制造方面的合作。

在这份独立的公告中，IBM和用于上网本和其他设备的ARM处理器的制造商-三星电子公司延长了他们自己的合作研发协议。两家公司将在纽约州国会市的纳米技术研究中心展开基础性芯片研究的合作。协议涉及对半导体材料，晶片制程工艺和其他与20纳米及更小规模制程节点相关的技术的研究。

IBM，三星和GlobalFoundries都有望在本周公布更多有关他们的"通用平台"芯片制造工艺的信息。回首今年6月，这些三家合作伙伴和美国新思科技公司共同推出了32纳米和28纳米high-K金属门工艺。意法半导体公司也在去年宣布将在他们自己的工厂内试点28纳米CMOS和high-k金属门工艺。

美国新思科技公司销售一款名为Lynx的芯片设计平台和一款名为DesignWare IP的知识产权综合性系统，这两款系统将帮助那些授权ARM IP的制造商来完成授权，并让他们在IBM，三星和GlobalFoundries几家公司的竞争中，来研制出适用于他们需求的设计。

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