由于DRAM“高贵”的单位容量成本又限制存储扩容，当前AI计算主要倾向超高速的HBM，引发HBM价格不断攀升，供不应求。当然，这个供不应求是指生产HBM内存的巨头们，没有的就要另寻出路。
铠侠就是其中一个，并且从2024年开始已经因为没有HBM产品出现亏损。前不久还传出SK海力士要和铠侠一起合作生产HBM的消息。
图片来自网络
2027年前铠侠将推出读取速度提升近100倍的SSD
到了最近，铠侠宣布，计划在2027年前推出数据读取速度提升近100倍的SSD，目标直指生成式AI服务器市场。
这款SSD通过直接与GPU连接取代部分高带宽存储器（HBM）功能，是响应英伟达需求而开发，并按照后者技术要求进行优化。
铠侠强调，新产品将支持下一代PCIe 7.0接口标准，单个SSD目标为1亿IOPS，两个SSD并联可满足英伟达提出的2亿IOPS需求。
铠侠凭借NAND闪存的价格优势，试图用SSD替代部分HBM场景，同时弥补自身缺乏DRAM产品的战略短板。
技术团队还采用新一代XL-FLASH高速NAND，通过控制单存储元件数据量（1-2比特）提升速度和耐久性。虽然成本略高于传统NAND，但相比HBM仍具明显价格竞争力。
为实现速度突破，铠侠工程师采用增加NAND芯片平面分割数、优化页单位读取尺寸（缩至512字节）等方案。技术负责人表示，即便牺牲芯片面积也要换取读取性能。不过，如何在缩小页尺寸的同时抑制电力消耗成为关键挑战。
存储芯片部门已启动第三代XL-FLASH开发，预计近期投产，为1亿IOPS SSD提供核心支持。
商业化路径显示，2026年铠侠将先推出1000万IOPS样品，采用第二代XL-FLASH验证技术可行性。2027年最终产品搭载第三代XL-FLASH，速度达到1亿IOPS。市场策略上，除AI训练外，铠侠还将推出针对推理和检索增强生成（RAG）场景的差异化产品，并扩展数据中心大容量近线SSD市场。
AI生态布局展现战略野心
铠侠明确要受益AI服务器投资热潮。与英伟达的深度绑定，不仅加速技术迭代，更直接打开生成式AI基础设施市场。通过性能与价格的平衡，铠侠正试图在HBM主导的领域撬动结构性变革。
