8 月 11 日，路透社消息，美光科技在中国区启动裁员行动，涉及嵌入式研发、测试、FAE/AE 支持等多个岗位，波及上海、深圳等地。
美光官方回应称，此次调整是全球战略调整的一部分——由于移动NAND产品在市场持续疲软，增长低于其他NAND机会，公司决定全球范围内停止未来移动 NAND 产品的开发，包括终止UFS5的开发计划。
美光强调，这一决定仅影响移动NAND产品线，不会波及其他NAND解决方案，如SSD以及面向汽车、工业等终端市场的存储产品。公司也将继续在全球范围内投入移动 DRAM市场的研发与供应。
那边下雨，这边又出日头。美光在昨天上调了第四财季业绩预期，营收由原先的107亿美元（±3 亿）提升至112亿美元（±1 亿），调整后毛利率由 42%（±1%）上调至 44.5%（±0.5%）。这主要得益于DRAM尤其是HBM（高带宽内存）价格上涨，而 HBM是大模型训练与推理的核心存储器件，需求在AI浪潮下持续走高。
原因分析
移动NAND长期是智能手机的核心存储芯片，但随着全球智能手机市场趋于饱和、出货量增速放缓，这一赛道的利润空间被严重压缩。过去几年，竞争已集中在少数几家厂商，高端市场被寡头垄断，新进入者与二线厂商的生存难度大幅提升。
相比之下，数据中心与AI基础设施带来的高带宽内存（HBM）、企业级SSD市场正在高速增长，毛利率显著高于移动存储。美光将研发与产能资源集中到这些赛道，能获得更好的投资回报。
对中国市场而言，这一调整的直接影响是美光在华研发力量收缩，间接影响是高端移动存储（尤其是UFS领域）的国际竞争格局出现空档。国产存储厂商若能在UFS高速闪存领域加快技术迭代，有望趁势进入中高端市场。
