2025年4月29日，据南华早报报道称，国内研究团队成功构建一个以国际竞争参数运行的极紫外 (EUV) 光源平台，突破了国产先进芯片的障碍。该团队来自中国科学院上海光学精密机械研究所，由曾任荷兰ASML公司光源技术负责人的林楠领导，这项成果或将重塑全球半导体技术竞争格局。
中国科学院上海光学精密机械研究所超强激光科学与技术全国重点实验室副主任林楠，图片来自中国科学院大学
林楠团队并未沿用ASML使用二十年的二氧化碳激光技术体系，而是寻求固态激光器方案，实现了3.42%的转换效率，已超越苏黎世联邦理工学院等西方顶尖机构。林楠团队认为，该平台的理论最高效率可以达到6%，超过了一些商业基准。
2021年，林楠的归国被视为中国半导体人才战略的关键落子。这位师从诺贝尔物理学奖得主Anne L’Huillier的顶尖专家，其技术路线选择暗含深层考量——研发方向直指下一代高能效EUV系统，在可持续性和扩展性方面建立技术储备。
目前，国内面临的最大挑战依然是构建完整的EUV光刻生态系统，也就是说中国要掌握从镜面光学元件到光刻胶和平台对准系统的所有技术——而这些领域目前仍由ASML及其全球供应商主导。虽然光源只是第一步，但这场半导体领域的”光源革命”，或许正在照亮中国芯的突围之路。
