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投资数十亿美元,英特尔要用EUV造7nm芯片

英特尔正准备在D1X 工厂加大对7nm EUV光刻工艺的研发,这座工厂位于美国俄勒冈州,晶圆厂扩建通常需要数十亿美元,而EUV光刻的大规模采用预计会增加额外成本。

英特尔目前正在努力完善一种称为极紫外光刻(EUV)的新制造工艺,这将使微芯片能够在宽度小于0.1微米的电路线上进行蚀刻,使其比现在的芯片强大100倍。使用该技术构建的存储器芯片将能够存储比现在多1000倍的信息,该工艺将用于构建其新一代7nm芯片。英特尔此前曾表示,计划在其完善其10nm芯片后立即开始研发7nm工艺。

D1X工厂 (图片来源:英特尔)

竞争对手芯片制造商Advanced Micro Devices公司已经完善了自己的7nm工艺,英特尔面临着加速发展的压力,月初,CES消费电子展上宣布推出首款Radeon VII芯片。英特尔表示D1X将有助于其更快地响应市场,将供应时间缩短约60%。虽然英特尔的行政总部位于硅谷,但D1X是英特尔的主要研发中心,在该中心设计其新一代计算芯片技术。

英特尔已告知其承包商预计合同周期为18个月,随后开始数月的额外设备安装,容量扩建相当大,预计最早的开放日期将是2021年中期。

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