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美光量产首款1α节点DRAM芯片,实现超高密度不用EUV光刻机

周二,美光表示已经开始使用其最新的1α工艺技术批量生产DRAM 芯片。初期美光会把新节点用于LPDDR4X和8Gb DDR4内存 IC,但最终会将新技术用于制造所有的DRAM。

图片来自网络

与竞争对手不同的是,美光至少在几年内不打算使用极紫外 (EUV) 光刻技术。但为了增加其存储芯片的密度和降低单位比特成本,美光要依靠其他创新缩小DRAM的尺寸。美光的1α节点与 1Z相比,比特位密度提高40%,功耗降低15%。1α节点还提供更高的性能潜力。

美光还必须改进阵列效率设计和使用新材料,包括更好的导体、绝缘体,还有新设备来沉积、调整或选择性去除相关材料。

美光的8Gb DDR4芯片已经批量发售,是首款采用其1α节点的芯片。6月中下旬开始出货使用1α节点制造的LPDDR4X芯片。美光最终会将几乎所有DRAM都过渡到1α工艺,包括 DDR5、HBM2E和GDDR6/GDDR6X。

目前,美光在台湾省的A3晶圆厂采用了1α技术。未来美光会在其它晶圆厂采用新技术。除此之外美光还完成了基于1α节点的DDR4在最新服务器平台上的认证,包括AMD的第三代EPYC代号Milan(米兰)的处理器。芯片还可用于笔记本电脑。

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