华中科技大学武汉国际微电子学院执行院长 邹雪城
邹院长一直从事电子信息工程与微电子技术的研究工作，在显示技术领域如a-Si/poly-Si TFT LCD工艺、器件及外围控制驱动电路和工业化技术等方面有较大成就。先后主持国家自然科学基金、国家”863″计划项目、国防研究基金、国家攻关、国防电子预先研究重点项目等共30余项科学研究与开发项目。在国内外重要学术期刊和学术会议上发表论文近300篇，申请并获批中国专利60余项，获得部级科研成果奖2项。作为论坛主席，邹院长将会引领大家感受一场别样的知识分享会，拭目以待。
上海微系统与信息技术研究所纳米技术研究室主任 宋志棠
宋志棠是上海微系统所纳电子材料与器件学科带头人，国内PCRAM材料与器件研究的开创者，国家集成电路重大专项PCRAM项目和973项目首席科学家与项目负责人。主要研究方向为相变存储材料与器件、纳米抛光液等，主张与产业结合开展相变存储器（PCRAM）研发，并与中芯国际和Microchip联合建立了12英寸PCRAM专用技术平台，开发出了我国第一款PCRAM芯片，在中国首次将PCRAM芯片推向量产。本次大会宋主任将为你带来相变存储介质的发展与最新研究发现。
复旦大学微电子学院副院长 张卫
张卫教授自1997年以来在集成电路先导工艺技术、半导体器件和半导体材料等方面开展系统研究，并取得如先进铜互连技术、新型阻变存储器和半浮栅器件等创新性成果。今年集芯片成为当下科技领域最热词语没有之一，被认为是国际竞争中的决胜领域。张教授曾指出核心器件将引领集成电路的创新发展。其主要研究的半浮栅晶体管是一种新型微电子基础器件，结合了隧穿场效应晶体管（TEET）和浮栅晶体管构建，致力于解决我国集成电路主流技术方向选择和可靠技术来源问题。现在大家对了解半浮栅晶体管的应用是不是有点小期待呢？
中电海康驰拓科技有限公司总经理 刘波
2015年，刘波博士带领中电海康磁旋存储事业部正式注册成立为“浙江海康驰拓科技有限公司”，成为中电海康集团有限公司旗下独立子公司。去年11月，由海康驰拓主导，总投入达13.5亿元的中电海康磁旋存储芯片研发及中试基地项目(新型存储芯片—STT-MRAM)正式落户青山湖科技城。海康驰拓专注新型高速非易失存储技术MRAM的研发，在刘博士的演讲中，就当前的DRAM技术VS创新型MRAM技术，将会碰撞出怎样的火花呢？
教育部长江学者特聘教授、华中科技大学武汉国际微电子学院副院长 缪向水
缪教授主要研究领域为相变存储器、忆阻器、磁存储器、光存储等信息存储材料与器件。当前，我国每年进口额高达2600亿美元，其中四分之一为存储器，95%的存储器芯片依靠进口，因此实现自主研发的新一代存储芯片势在必行。而缪教授带领团队专注基于相变存储器的3D XPOINT技术。相变存储器号称最有希望取代闪存的候选技术之一，利用硫系化合物晶体和非晶之间的快速切换进行信息擦写，在晶体管摩尔定律即将结束时，形变存储技术有望延续甚至突破摩尔定律，实现支持服务于新一代3D XPoint技术。此次他的演讲主题为《相变存储器及3D XPoint相关技术》。
国家千人计划专家、四川凯路威电子有限公司董事长兼CEO 彭泽忠
演讲主题为《氧化层反熔丝存储器（XPM-Super Permanent Memory）技术及应用》。氧化层反熔丝存储器是通过将数据存取单元构建在超薄绝缘体介质(例如栅氧化层)的周围。然后在超薄绝缘介质上施加应力而使其击穿(软击穿或硬击穿)，调整存储单元的漏电流水平，从而实现存储信息。彭总是XLPMTM技术和X-RFID技术的发明人，2001年创建四川凯路威电子有限公司，专注于新型RFID芯片的设计与开发，目前已研发出高频（HF）、超高频（UHF）两大系列多款芯片产品，并实现商用量产。
聚辰半导体资深市场部总监 李强
EEPROM（带电可擦可编程只读存储器），可在电脑或专用设备上擦除已有数据，再重新编程写入数据。相比EPROM，EEPROM无需紫外线照射，用特定的电压，就可以擦除数据，并写入新的数据，相比闪存产品在擦写次数上有更大优势，再加上更小的尺寸和较低的擦写电流，在智能手机市场炙手可热。而聚辰目前拥有全系列的EEPROM产品，在其技术与应用方面，李强在本次演讲中将为我们带来更多精彩内容。
当然，除了本论坛外，第二天的论坛还包括
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王阳元院士：中国集成电路发展方向