高通骁龙835将于2017年初发布，采用三星10纳米FinFET制程工艺

高通和三星已经延长了其十年之久的战略代工合作，高通最新的骁龙(Snapdragon))处理器——高通骁龙835，采用了三星的10纳米FinFET制程工艺。在新一代处理器中使用三星的尖端制程的决定表现了高通仍在努力做移动平台的技术翘楚。

在十月份，三星宣布其为业内首家大规模生产10nm FinFET技术芯片的企业。与其14nm FinFET前身相比，三星的10nm技术的面积效率提高30%，性能提高27%，功耗降低40%。使用10nm FinFET，骁龙835处理器将提供更小的芯片，为OEM在未来的产品中提供更多可用空间，支持更大的电池或更薄的设计。制程改进，结合更新的芯片设计，预计将带来电池寿命的明显改善。

骁龙835正处于生产阶段，预计将于2017年上半年在商用设备中发售。骁龙835为骁龙820/21处理器后续产品，后者在开发中拥有超过200种设计。

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