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重新定义3D闪存 看宝存如何出招!

2016年第一季度,SSD全球出货量达3077.7万块,相比于2015年Q1季度的2319万片,同比猛增32.7%。SSD正在快速抢占HDD市场份额,HDD出货量也因此出现持续大幅度下滑。

对于闪存颗粒行业来说,2016年也是革命性的一年。随着TLC颗粒、3D-NAND技术的不断完善,3D闪存如一匹势头强劲的“黑马”闯入了闪存市场。

从平面到3D  闪存迈入摩天大楼时代

为提升存储容量,传统平面NAND的制程工艺已从最初的50nm发展到今天的9/10nm,虽然存储密度一再增加,却已基本到达制程工艺的物理极限。

然而3D闪存则不同,它使用了3D NAND立体空间堆叠技术,提供比现有2D闪存更大的存储空间,且(每单位容量)成本比现有2D NAND更低。另一方面,由于3D NAND无需再通过升级制程工艺、缩小cell单元来增加容量密度,其可靠性和性能也更出色。

目前业内普遍存在的3D NAND堆栈层数已经达到32-48层,厂商们还在持续研发更高层数的堆栈技术。上海宝存信息科技有限公司技术总监徐伟曾在今年6月举行的“2016中国闪存峰会”上指出,当3D NAND 技术达到100层堆叠时将遇到成本的拐点,因此其成本优化空间非常巨大。而宝存也将基于3D NAND技术更新其现有产品,并表示在一个季度后升级宝存的6.4T旗舰产品至12.8T,更将于2017年推出单卡容量25T以上的产品。

现在,宝存要兑现他当初的承诺了。

拓宽现有应用场景  宝存科技三箭齐发

身为专注闪存卡研发的国内厂商,宝存科技自2011年创办以来,先后推出了全球第一块单卡6.4TB 的PCIe Flash产品,中国第一块8639接口PCIe Flash存储盘,全球第一个基于全局FTL的通用PCIe-RAID系统。

宝存此次推出的新品包括:Shannon Hyper-IO NVMe SSD,Direct-IO PCIe Flash-G4I,Direct-IO PCIe FlashU.2。虽然详细参数尚未公布,但据宝存透露,为提高固态硬盘的耐用性和速度,三款闪存新品皆采用了业界最先进的3D NAND技术。与此同时,宝存凭借其极高的控制器的生产水平和长期自主研发原生PCIE的优势,完美解决了3D NAND相较平面NAND更容易出现的电子泄露问题。

容量方面,实现了PCIe SSD单卡可扩展至12.8T,U.2 SSD单卡可扩展至9.6T的全球最大单卡容量。另外,此次推出的NVMe SSD产品还将采用宝存自己深度化定制的ASIC NVMe 控制器,以及新的接口标准和新的容量高度等,全面拓宽其现有应用场景。

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深耕市场 不忘初心

自2011年创办以来,宝存坚持在闪存卡领域深耕与研发。并凭借长期的技术积累,以多样化的产品服务于互联网、电商、运营商、能源、交通、金融、教育、医疗、政府和企业等各个行业。

为应对多元化市场,宝存更自主研发了高可用性及高性能的企业级SSD产品和存储阵列解决方案。从主流的SATA接口Hyper-IO SATA Flash -S3C,到性能抢眼的PCIe Flash-G4系列,再到近期即将发布的Hyper-IO NVMe SSD,其产品容量的可扩展性及低功耗等特点在行业中引起了广泛关注。

宝存表示,从企业级市场的需求来看,基于SATA接口的SSD在未来两年内还将持续保持增长态势,因此宝存还将继续推出自己的SATA SSD产品。另外,宝存也将凭借此次即将发布的Hyper-IO NVMe SSD产品,填补其之前并未覆盖到的NVMe市场空白。最终通过PCIE、SATA、NVMe全线产品,实现垂直市场覆盖力,增加自身市场竞争力。与此同时,宝存也将继续运用自身的绝对核心技术独立运营,发挥本土企业优势,持续与包括本土服务器厂商、系统集成商和软件开发商在内的生态伙伴开展紧密合作。

据悉,宝存科技将于11月24日携以上三款SSD闪存新品亮相“GITC全球互联网技术大会”。向业界详细解读宝存对3D NAND的理解,及其背后承载的先进技术。让我们共同见证全新SSD的产品诞生,看宝存如何重新定义3D闪存

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