传紫光、武汉新芯合并，中国力量发力大存储制造

以存储介质更新换代为标志，存储产业正在发生翻天覆地的变化，以3D NAND制造作为方向，新的大存储产业发展契机正在到来。从技术上来说，3D NAND制造倾向采用上一代制程工艺技术制造，这就给中国制造提供了前所未有的机会。

以武汉新芯、紫光国芯为代表，中国制造加大半导体产线投资，其中，武汉新芯在2015年2月与国际知名存储公司Spansion达成合作协议，签署共同开发和交叉授权协议，开发与生产3D NAND闪存技术，武汉新芯为此募集了约240亿美元，打造中国存储芯片产业基地。

去年8月，紫光集团旗下的紫光国芯取得中国唯一的 DRAM IC 设计公司西安华芯控股权。加上紫光集团的资金募集、活动力惊人，加之华亚科前董事长高启全助力，紫光有望按照华亚科模式生产 NAND Flash，也就是美光提供生产技术，合作方股东出大量资金建厂。美光可以在不出钱的情况下，取得技术授权金与分享产能的回馈。

与此同时，紫光集团、中国电子、长电科技等公司相继通过数十亿美元的收购大手笔布局，跻身芯片国家队，而Intel、高通、Ti等国际芯片巨头也通过投资、成立分公司等方式加入了中国芯片产业的总动员，中国制造震撼全球。

在这样的背景下，有新闻报料称：武汉新芯有望与紫光集团携手合作，武汉新芯与紫光国芯合并成为一家企业，集中力量发力3D NAND大存储制造。如此，就可以在Spansion技术授权基础上，有望更好整合美光（Micron）相关技术。一但紫光与武汉新芯的整合，不仅在生产团队、IC 设计团队，而且在民间资金、国家基金、以及既有半导体厂基础方面，新企业都将展现令人震撼的实力，书写NAND大存储制造中国力量新篇章。

武汉新芯执行总裁陈少民（右）亮相“大存储产业和中国力量”高峰对话

　　在刚刚结束的2016中国闪存峰会上，大存储制造中国力量备受关注，武汉新芯执行副总裁、商务长陈少民指出：“市场规模影响到产业甚至是标准的制定，中国今天已经具备这样的条件。虽然是后发之势，但有助于我们看准了方向，从而避免了走绕弯。但我们也会面临产业链等方面的挑战，需要我们迎头赶上。”

据统计，全球存储市场超过800亿美元，而全球最大的存储市场在中国。因此，中国制造能否抓住3D NAND大存储产业制造的良机，世所瞩目。武汉新芯、紫光国芯如携手将有助于发挥最大力量。为此，我们高度关注事态的最新进展。

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