美光发布8GB闪存DIMM

美光即将推出一个8GB闪存DIMM，与闪迪及其ULLtraDIMM成为竞争对手。

闪存DIMM在DIMM插槽上安装了一个闪存芯片卡，将NAND放在内存总线上，这样速度要比在PCIe总线上快很多。该理念是为了提供一个中间存储或主存储与PCIe闪存或磁盘存储器支持的连接SAS闪存之间的缓存。

DDR4 NVDIMM产品将一个NVDIMM控制器，NAND，DRAM和一个电源连接形成一个具有类DRAM性能的持久性内存子系统。

美光的产品采用的DDR4 DIMM，类似Diablo的Memory1产品。有一种更简单的Diablo技术由闪迪进行认证，形成它的ULLtraDIMM产品，而且即便它没有在市场上造成任何显著影响，也已经被代工到华为，联想和超微适用于服务器使用。那么，DDR3闪存DIMM很可能会被速度更快基于DDR4的产品所取代。

闪存DIMM有效地扩展了存储/内存空间，接近一个服务器CPU，并且能够在内存中运行更大的数据集从而使采用它们的应用程序避免了通过PCIe总线进行更加缓慢地数据访问，并使SAS/SATA接口传输到SSD和磁盘。

在数据访问速度方面，美光已经提供了一个对照视图，如果一个DRAM访问需要一秒，那么PCIe访问则需要花费22分钟，一张1K SAS硬盘则需要7.6天。

美光的闪存DIMM建议使用案例为大数据分析，存储应用程序，RAID缓存，内存数据库和在线交易处理。

美光会有3款DDR4 NVDIMM产品：

1. 8GB DDR4 NVDIMM w/传统固件;

RDIMM架构;

DDR4-2133;

单个rank x4配置;

目前在生产中;

备用电源：PowerGEM或持久12V路由到DRAM插槽。

2. 8GB DDR4 NVDIMM w/JEDEC固件：

RDIMM架构;

DDR4-2133;

单个rank x4配置;

目前工程样品可用;2016年早期投入生产;

备用电源：PowerGEM或持久12V路由到DRAM插槽。

3. PowerGEM(超级电容)8GB NVDIMM

备份时间：约40秒(电源切断时，NVDIMM控制器拷贝DRAM内容到NAND所需时间);

备用电源：超级电容(tethered);

2.5英寸驱动器机架外形。

美光表示其闪存DIMM将提供一个桥梁，预计在2016年更快到达的还是3D XPoint DIMM，它正作为存储级内存进行定位。

在这两种情况下，主要客户都将会是服务器OEM，我们预计其主要目标为，思科，戴尔，富士通，惠普，日立，华为，联想和超微，接着是一些白盒服务器制造商如Quanta。

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