亿恒：利用0.11μm工艺规格量产256MB DRAM内存

    德国亿恒科技日前宣布，已经开始量产利用0.11μm工艺规格生产的DRAM内存。利用该规格试生产的256Mbit DRAM内存已经通过包括英特尔在内的重量级客户的认证。与亿恒科技此前在量产中使用的0.14μm工艺相比，每枚晶圆的芯片产量约增加50%，从而把芯片的生产成本削减了约30%。

亿恒科技此次使用0.11μm工艺量产的首批芯片是256Mbit DDR模式同步DRAM（SDRAM）内存。主要面向个人电脑和服务器等产品。使用0.11μm规格的生产工艺，可以生产内存容量达1Gbit的DRAM内存。通过使用0.11μm这一深次微米生产工艺，可以更容易地生产DDR2模式SDRAM和RAM显存等高速内存。

    关于此次量产的256Mbit DRAM内存，该公司强调指出“芯片面积堪称业界最小”。之所以能够减小芯片面积，一是使用了0.11μm这一深次微米加工工艺，二是在内存单元结构方面采用了该公司自主开发的沟槽技术。“与其他公司利用同样的加工工艺生产的256Mbit DRAM内存相比，芯片面积约减小10%”（亿恒科技）。沟槽型DRAM内存单元技术尽管东芝和IBM也都有，但这两家公司目前已经不再生产通用DRAM内存。因此，目前使用沟槽型DRAM内存单元生产通用DRAM内存的只有亿恒科技和在DRAM内存生产技术开发方面与该公司存在合作关系的台湾南亚科技公司，以及亿恒科技委托生产DRAM内存的企业。

    亿恒科技准备主要在300mm晶圆厂来量产使用0.11μm工艺的DRAM内存。由此将加速削减生产成本。“最近我们300mm晶圆厂的DRAM内存生产成本已经低于200mm晶圆”（亿恒科技）。另外，该公司还表示：“我们是首家在0.11μm工艺DRAM内存量产过程中使用波长193nm蚀刻装置的DRAM内存制造商。通过发挥在0.11μm工艺量产中积累的技术，使用同样的蚀刻装置就能将深次微米技术加快好几代”。

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