富士电机：垂直记录存储技术令硬盘密度增至169Gbit

    　　被寄予厚望但始终难以达到实用化的垂直记录方式硬盘目前逐渐接近实用水平。富士电机日前成功开发出了性能大幅提高的垂直记录介质，并已经证实使用这种介质可以达到每平方英寸169Gbit的面记录密度。线记录密度为850kBPI，磁道密度为199kTPI，误码率为1×10－4.1。基于这一技术，富士电机将在2004年下半年建立量产垂直记录介质的体制。在磁技术相关国际学术会议“International Magnetics Conference（Intermag）2003”上，该公司宣布将开发每平方英寸200Gbit的记录介质。

    　　一般认为，垂直记录方式适于高密度记录，但令人苦恼的是始终找不到高性能的记录介质。富士电机开发的介质通过在记录层中使用Co-Pt-Cr-SiO2，解决了这一问题。2002年秋美国Read-Rite公司宣布使用同种介质实现了每平方英寸146Gbit的面记录密度。仅用了半年时间面记录密度就增加了每平方英寸20Gbit。目前富士电机正在委托主要硬盘和磁头制造商对记录介质进行测试，均得到了理想的结果。

    　　富士电机以外的其他介质制造商似乎也正在急起直追。某磁头制造商的一位技术人员在谈到垂直记录硬盘的实用化时充满自信地表示：“最近所有制造商的垂直记录介质都表现出很好的特性”。注意到记录介质不断发展的硬盘制造商已经把将其产品化的时间定在了2004年～2005年，并已着手进行准备工作。当垂直记录方式硬盘问市时，面记录密度有可能达到每平方英寸200Gbit。

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