算力芯动向 · HBM5
HBM5散热技术曝光：当热成为存储竞争的主战场
Computex 2026上，三星电子首次展示HBM5实物模型并公开HPB散热方案，几乎同一时间，SK海力士的iHBM技术也进入行业视野。两大存储巨头不约而同将散热技术推至台前，这并非巧合——HBM的竞争逻辑，正在发生根本性转移。
01散热从配套工程变为核心设计
过往HBM迭代的核心叙事围绕带宽与堆叠层数展开。三星HBM4E已实现每引脚14Gbps、最高约4TB/s带宽，并探索12层至20层堆叠。但物理规律无法回避：堆叠越高、速度越快，D2D PHY区域的热量密度便呈指数级上升。散热瓶颈不解决，带宽与容量提升只是纸上参数。
三星HPB采用铜基导热结构，在D2D PHY区域构建类似烟囱的独立传热路径，导热性能较聚合物基材料提升500至1000倍；SK海力士iHBM则将硅基冷却元件ICE嵌入封装内部，热阻降低30%以上。两者的共同指向十分明确：散热路径必须从封装外围深入芯片内部，从事后降温转为热源直导。
核心变化：HBM的设计范式正在从存储+逻辑的双层架构，演变为存储+逻辑+热管理的三维系统。散热技术不再是封装环节的附属品，而是与制程、架构并列的核心设计变量。
02IDM模式 vs 封装专长：两条路线，两种壁垒
三星与SK海力士的散热方案差异，折射出两家企业战略禀赋的分野。
三星
HPB依托IDM身份，HBM5基础裸片率先采用自家2nm工艺，HPB已在Exynos 2600和HBM4E上完成验证。全链条自主可控，针对自家工艺特性做深度热设计优化。
SK海力士 iHBM
强调与现有SiP封装环境的设计兼容性，客户无需大规模改动即可部署。MR-MUF工艺已在量产中验证，技术路径偏向在成熟生态中做增量升级。
两种路线没有绝对优劣，但竞争门槛已被显著抬高。HBM5时代，单纯的DRAM制程领先已不足以定义竞争力，存储厂商必须同时掌握先进封装、热管理材料与系统级协同设计。
03热管理决定AI算力天花板
从行业传导链条看，HBM散热技术的升级直接影响AI基础设施的演进节奏。
当前AI训练对显存容量和带宽的需求仍在膨胀，而HBM5预计2028至2030年量产。若散热效率无法匹配堆叠密度的提升，GPU厂商的算力释放将受到物理限制。英伟达等下游客户对HBM供应商的选择标准，正从能不能做出高带宽转向能不能在高负载下持续稳定输出。
定价新变量：TrendForce指出，三大原厂2027年HBM报价将大幅调涨，背后除了DRAM供不应求，新旧世代HBM的高制造难度及高成本也是关键推手。这里的高成本不仅指制程，更包含散热结构带来的封装复杂度上升。散热技术正在成为HBM定价的新变量。
04对国产产业链的参照意义
三星与SK海力士在HBM散热上的密集投入，对国内存储产业链的启示在于：HBM国产化追赶不能仅聚焦于DRAM核心工艺，封装与热管理的协同能力同样关键。
当海外龙头将散热路径嵌入芯片内部设计，热管理已从可外采的模块变为必须自研的Know-how。国产HBM若要在下一代产品中具备竞争力，需在先进封装、热界面材料与系统级热仿真上建立配套能力。
结语
HBM5的散热技术曝光，标志着存储行业竞争进入后带宽时代。三星与SK海力士的技术路线之争，本质上是IDM全链整合能力与封装生态锁定能力的较量。对AI算力产业而言，谁能把热量更快导出，谁才能堆出更高的内存、跑出更稳的带宽——这一物理约束，将在未来三到五年持续重塑HBM供应链的权力结构。
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今日阅读文章分享：
（1）三星电子HBM5，散热技术曝光
（链接：https://www.21jingji.com/article/20260602/herald/135c062ae7cdbed85cc08518aa3fd906.html）
（2）HBM 5，三星首次展示（链接：https://mp.weixin.qq.com/s/PKiWXhDEi8RtJC9t2dxZlA）
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