Solidigm,老朋友新面孔
朱 朋博 发布于 2022-08-22
2021年12月30日,Solidigm宣布作为SK海力士在美国的独立子公司正式成立,此前,在2020 年10月,SK 海力士签署协议以 90 亿美元价格收购英特尔 NAND 和固态硬盘(SSD)业务。 虽然是市场上的新面孔,但实际上却是闪存存储市场的老朋友。Solidigm的“...
朱 朋博 发布于 2022-08-22
2021年12月30日,Solidigm宣布作为SK海力士在美国的独立子公司正式成立,此前,在2020 年10月,SK 海力士签署协议以 90 亿美元价格收购英特尔 NAND 和固态硬盘(SSD)业务。 虽然是市场上的新面孔,但实际上却是闪存存储市场的老朋友。Solidigm的“...
朱 朋博 发布于 2020-03-30
Anandtech消息,在最近的一次财报电话会议上,美光表示今年晚些时候将推出其首款HBM DRAM方案。HBM(High Bandwith Memory)适用于需要高内存带宽的应用场景,比如旗舰级的GPU,还有网络处理器。 美光是第三家进入HBM市场的内存厂商,前两家是三星和海...
崔 欢欢 发布于 2018-06-01
继去年12月和今年5月相继约谈三星、美光后,中国反垄断机构已于近日启动对于三星、海力士、美光三家企业的调查,内容可能涉及三家厂商在近年来DRAM市场的价格飞涨以及业界反映的产品搭售问题。 据集微网了解,5月31日,中国反垄断机构派出多个工作小组,分别对三星、海力士、美光三家公司位...
崔 欢欢 发布于 2018-04-28
4月28日报道,三星电子、海力士公司以及美光科技被指控串谋限制DRAM内存芯片供应,被提出集体诉讼。 (图片来自forbes,法院文件,关于DRAM价格合谋期 ) 律师事务所Hagens Berman称,尽管DRAM芯片的需求创纪录,但是三星、美光以及海力士之间的竞争能够迫使芯片...
朱 朋博 发布于 2018-01-09
12月份的时候网上流传的文章谈到了闪存存储知识产权的问题,文中称中国要研发自己的3D NAND技术很难不触碰到SK海力士等国际厂商的知识产权。 紫光集团发表声明称闪存只是产权不是SK海力士的,现在的3D NAND技术是自己开发的。 部分境外媒体声称,SK海力士半导体公司正在与清华...
youjia 发布于 2011-06-22
北京时间6月22日消息,海力士半导体和美光律师在法院上表示,Rambus在内存芯片上伎俩肮脏,自己在技术上失败却怪罪于竞争对手。 本周二,海力士公开一份声明,代表律师肯尼斯·尼斯利(Kenneth Nissly)说Rambus RDRAM内存技术在设计和技术上存在问...
youjia 发布于 2011-06-21
北京时间6月21日凌晨消息,美国存储芯片厂商Rambus周一向加州一家法院提起反垄断诉讼,指控海力士和美光存在“非法共谋”,意欲将Rambus挤出计算机存储芯片市场。 Rambus指控海力士和美光侵犯RDRAM芯片的知识产权,索赔129亿美元。该公司表示,...
youjia 发布于 2011-04-28
北京时间4月28日消息,据国外媒体报道,全球第二大电脑内存芯片生产商海力士周四发布了2011年第一季度财报。财报显示,今年第一季度海力士实现净利润2735.4亿韩元(约合2.538亿美元),比去年同期大幅下降66%,这主要是受到个人电脑需求低迷导致芯片价格下滑影响。 不过,海力士...
liukai 发布于 2011-04-06
三星电子抢先行动整整三个月之后,另一家半导体大厂海力士(Hynix Semiconductor)今天也宣布下代DDR4内存颗粒、内存条开发完毕。 海力士已经开发出了容量2Gb(256MB)的DDR4 DRAM内存颗粒,以及容量2GB的DDR4 ECC SO-DIMM内存条,支持错...
liukai 发布于 2011-03-29
日本芯片制造商尔必达今天预计,日本地震及其引发的海啸不会导致该公司的产品供应中断。 尔必达是仅次三星和海力士的全球第三大DRAM芯片制造商,该公司表示,目前的零部件和原材料足以确保7月底前的持续产品供应。 尔必达还补充道,该公司正在寻找替代方案,以确保8月及以后的原材料供应。 尔...
youjia 发布于 2011-03-10
3月10日消息,据国外媒体报道,全球第二大计算机内存芯片厂商海力士半导体周三称,它已经开发出全球最大容量的单芯片封装DRAM内存芯片。 海力士在声明中称,通过使用一种名为TSV(硅通孔技术)的新技术,海力士成功地在一个芯片封装中堆叠了8个2GB DDR3 DRAM内存芯片。TSV...
liukai 发布于 2011-02-18
DOSTOR存储在线2月18日国际报道:韩国电子巨头三星2010年第四季度DRAM收入高达36亿美元——占市场份额的41.7%。 随着2011年DRAM市场正在复苏,三星作为市场龙头,其收益将会更大。 根据市场研究公司IHS iSuppli表示,在2010...
liukai 发布于 2011-01-27
彭博社报道,受到内存芯片价格下降、诉讼赔偿的双重影响,海力士去年四季度利润大跌83%。 海力士四季度盈利1101亿韩元(9900万美元),与去年同期的6568亿韩元相比下降83%,该数字也低于彭博社8位分析师的2290亿韩元的平均预期。 内存芯片需求降低导致的价格下滑是导致海力士...
liukai 发布于 2010-09-02
DOSTOR存储在线9月2日国际报道:惠普打算携手海力士,将Memristor技术从研发阶段推向实际生产阶段。 据说被确定为第四项基本电路元素的Memristor可以以统一存储的形式替代闪存、DRAM甚至硬盘。它也许可以执行各种逻辑功能。Memristors是在2006年由惠普实...
wanglin 发布于 2010-07-27
7月27日消息,据国外媒体报道,海力士半导体股东今日对外表示,将以周一收盘价出售5844亿韩元(约合4.907亿美元)的海力士股票,占总股份的4.1%。 韩国外换银行发言人称,包括该行在内的海力士大股东以每股23950韩元的价格出售2440万股。
wanglin 发布于 2010-04-23
4月23日消息,据国外媒体报道,全球第二大存储器厂商,韩国电脑内存芯片制造商海力士半导体(Hynix Semiconductor)22日已经发布财报。财报称,受益于全球个人计算机需求不断增加,以及芯片短缺,海力士半导体第一季度盈利快速增加,获得三年多来最大的盈利,净利达7.3...
lixuyang 发布于 2010-03-31
据路透社报道,全球第二大DRAM芯片大厂海力士今天表示,市场对内存芯片需求远超出先前预期,芯片供应仍然吃紧,而且这种局面还将持续到第二季度。 在市场调研公司Gartner昨天发布的全球十大芯片制造商中,海力士从之前的第九跃居到第七,DRAM和NAND闪存芯片价格上涨从中帮了海力士...
lixuyang 发布于 2010-02-11
继Intel、美光上个月宣布投产25nm NAND闪存芯片后,韩国两大存储厂三星和海力士近日也宣布了自家的30nm以下工艺NAND闪存投产计划。 海力士将采用26nm工艺生产容量为64Gb的NAND闪存芯片,这和Intel、美光首批投产的25nm芯片容量一致。而三星则计划在今年第...
lixuyang 发布于 2009-11-23
海力士公司日前宣布,其使用40nm工艺制造的2Gb容量DDR3 DRAM颗粒和相关内存条产品已经获得了Intel认证。 此次或认证的产品包括2Gb DDR3 SDRAM颗粒,4GB DDR3 SODIMM笔记本内存条和2GB DDR3 UDIMM普通台式机内存,运行频率1333M...