IDF专题讲座：如何提升固态硬盘的耐久性

2010年4月13日，英特尔IDF2010大会在北京召开。在下午的专题演讲中，英特尔NAND方案事业部应用工程部主管James Myers就固态硬盘的耐久性向与会者作出了详细介绍。

固态硬盘的优势众所周知，不过其成本高、耐久性低的缺陷一直以来也为用户所诟病。在这场题为《企业级数据完整性和固态硬盘耐久性的提升》的演讲中，Myers对此作出了详细的介绍。

什么是固态硬盘的耐久性？Myers认为企业级固态硬盘的耐久性可以定义为硬盘寿命期内所能写入的随机数据的总量。在苛刻的企业应用负荷下，基于NAND闪存技术的SSD更易产生损耗。而在这一环境下，不同的固态硬盘其耐久性也有着10倍甚至更大的差异。

影响耐久性的因素包括有NAND闪存技术擦鞋次数、写入负荷以及容量储备。其受控于固件算法、间接寻址系统管理、NAND写入效率等等。这些综合起来的表现就是SSD的耐久度。在此Myers再次提到了上一场的一个重要环节：MLC相较SLC提供双倍容量，但耐久性较弱。

Myers表示，减少客户可用容量有助于耐久性的提升。英特尔提供SMART属性可用于写入方法及耐久性的监测。

在最后，Myers介绍了日立环球存储科技和英特尔共同研发的日立SAS接口固态硬盘。他表示，这一产品采用双端口的6Gb SAS可以提供更好的性能以及可靠行。这两个端口在发生端口或者主机通道出错的情况下，任何一个端口可以用来替换出错端口，从而提升系统可靠性。同时，SSD循环冗余码校验也保护了客户的数据传输。Myers表示，英特尔在固态硬盘上采用的技术缓存的数据更少，主机数据传输并不经过DRAM，因此只需要少量的电容即可实现对缓存的保护。

未经允许不得转载：DOIT » IDF专题讲座：如何提升固态硬盘的耐久性