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SK海力士展示全球首款321层NAND技术,2025年量产

2023闪存峰会(FMS)上,SK海力士展示了全球首款321层NAND颗粒技术,成为全球首个开发300层以上NAND颗粒的厂商。此外,SK海力士还介绍了与PCIe 5.0和UFS 4.0相关的新一代NAND闪存解决方案。

SK海力士展示的是321层1Tb TLC 4D NAND闪存技术,这次是首次对外介绍这项产品,目前还在开发当中,计划于2025年上半年开始大规模投产。

据SK海力士称,321层1Tb TLC NAND闪存的效率比前一代238层512Gb高出59%。这一增强,主要是在同一芯片上将更多的单个单元堆叠到了更高的高度,从而实现了更大的存储容量,同时,还提高了每个晶圆产出的芯片数量。

随着最近生成式AI市场的火爆,对于高性能,大容量存储的需求也在急速提高。SK海力士抓住机遇推出了下一代NAND解决方案,推出了PCIe 5.0 企业级SSD和UFS 4.0相关产品。

SK Hynix透露,公司正在积极开发下一代PCIe 6.0和UFS 5.0产品,展示了其致力于在未来继续引领市场的决心。

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