面对企业级固态盘市场，Solidigm有三大优势

2021年年底，Solidigm宣布作为SK海力士在美国的独立子公司正式成立，时隔三个月之后，2022年4月，Solidigm推出面向数据中心和企业级应用固态盘产品D7-P5520、D7-P5620和D5-P5530，迫不及待地向企业级存储市场宣告领地。

虽然是企业级闪存存储市场上的新品牌，但源自SK海力士和英特尔数十年存储领域的技术和创新积累，使得Solidigm的技术领地能覆盖闪存颗粒、闪存控制器芯片和成品闪存盘三方面。全盘技术实力在手，Solidigm可以从头到尾完全按照需求进行技术创新和产品研发。

在笔者看来，Solidigm的此次发布称得上是“厚积薄发”。因为，Solidigm获得的来自两大巨头合力推动，为后续在企业级闪存市场上带来更多技术层面的创新、产品层面的突破以及应用场景上的覆盖打下了坚实的基础。

本文简要介绍Solidigm在企业级闪存存储市场上的三大优势：

介质层优势，“双轮驱动”掌握闪存发展的根本

NAND闪存介质层面的创新是闪存得以发展的关键技术推动力。

从2D平面架构到3D堆叠架构的技术，从MLC到TLC的技术演进突破点燃了闪存市场，已经大面积投入使用的QLC和最近Solidigm展示的PLC产品，也为闪存市场后续发展集聚了更多能量。

SK海力士和英特尔都是少数掌握闪存底层技术的厂商，英特尔的NAND闪存技术路线是Floating Gate浮栅式结构，而SK海力士选择的是Charge Trap电荷捕获技术，两种技术都由来已久，关于技术优劣也有过口水战，最终，技术创新和市场实践证明，两者各有千秋。

Solidigm并不会因为NAND技术路线而烦恼，并将成为市场上唯一一家同时提供两种技术的厂商，能同时利用两种技术的优势：

Charge Trap电荷捕获型结构制造工艺更简单，存储单元间距更小、氧化层老化磨损速度低、更节能。浮栅技术的工艺更复杂，在数据保留方面更有优势，易实现更高的单元位密度，从而提升存储密度。

回顾Floating Gate的技术发展。2016年，英特尔推出了32层TLC闪存，2017年推出了64层QLC，此后，TLC和QLC开始同步演进。2018年发布首个数据中心QLC固态盘，2019年达到了96层，在2020年达到了144层，2021年，还发布了首个基于144层QLC的P5316。

过去几年来，英特尔力推QLC闪存技术，相关产品在平均故障间隔、质保寿命、数据持久性等方面基本达到了TLC的水平。2022年9月，Solidigm在美国FMS大会介绍了基于192层PLC NAND的早期SSD样品，未来，Solidigm必将引领并推动行业PLC技术的落地和演进，或将掀起闪存对磁盘存储的新一轮攻势。

Charge Trap部分也有着相似的发展路径。

2020年，SK海力士完成了176层NAND闪存的研发，2022年8月，SK海力士又宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存，SK海力士创新的成果也将在Solidigm的产品中得到应用。比如，今年4月发布的Solidigm D5-P5530用的就是SK海力士的128层TLC。

Floating Gate和Charge Trap技术都在持续快速演进，和而这些技术积累优势，也都将在Solidigm身上得到体现。

产品层优势：加速的创新步伐

得到两家闪存巨头的实力加持，意味着Solidigm将服务于更多企业级市场用户。

一方面，Solidigm拥有覆盖全球的稳定供应链，以世界一流的供应链和制造能力保证供给。另一方面，Solidigm拥有更大的规模和产能，可以进一步加大投入、扩大规模、加速技术迭代。

在企业级存储领域，Solidigm的目标是成为优化的数据存储解决方案的首选合作伙伴，为此，在技术层面，Solidigm将利用浮栅技术、电荷捕获技术，TLC、QLC、甚至PLC闪存来打造多样化产品，同时，还强调针对实际工作负载进行优化。

继承自英特尔时代的积累，Solidigm面向实际工作负载的优化经验丰富，Solidigm具备从接口和协议规范（比如NVMe、PCIe规范）、介质创新、尺寸规格（Form factor）、软件层面（比如SPDK）等多个层面做优化的丰富经验，更能满足用户的多样化需求。

Solidigm企业级产品包括D3、D5和D7三大家族。

其中，D3系列以SATA接口的TLC固态盘为主，D5和D7系列都是PCIe接口NVMe固态盘。D7系列强调性能优势，介质类型是TLC，而D5系列强调性价比和容量优势，使用的介质以QLC为主，比如D5-P5316使用的是144层的QLC。

2022年，Solidigm发布了两款D7系列的新品和一款D5系列新品。

其中，D7-P5520为读取密集型和轻量级混合工作负载设计，有包括U.2,E1.S,E1.L多种Form Factor（外形尺寸），容量从1.92TB到15.36TB。与上代产品相比，4K随机读取性能提升最高可达42%，4K随机写入性能提升高达17%，延迟降低多达43%。

D7-P5620为混合型工作负载设计，只提供最常见的U.2的Form Factor（外形尺寸），容量范围从1.6TB到12.8TB。相比于上一代产品，4K随机读取性能最高提升56%，4K随机写入性能提升最高可达53%，延迟降低多达76%。

两者采用的都是PCIe 4.0接口，支持NVMe 1.4标准，采用的是144层的TLC介质（英特尔此前的技术）。相比之下，D7-P5620的4k随机写性能会更高，而且耐久性DWPD也比D7-P5520要高。

D5-P5530采用的是128层的TLC NAND颗粒，为以读为主的工作负载提供可靠的性能表现，帮助数据中心高效管理云、虚拟化和日常工作负载。

D5-P5530采用的是Solidigm的PCIe 4.0控制器和Firmware，目前只提供U.2的外形尺寸。D5-P5530一大亮点在于，它用的是SK Hynix的128层4D NAND TLC，具体是SK hynix V6 NAND。

2022年全球闪存峰会（FMW2022）上，技术出身的Solidigm亚太区销售总监倪锦峰介绍了在技术架构上的五个创新点：

第一，独立多平面读取操作（IMPRO——independent multi plane read operation）。它在同一个NAND die芯片内引入多个读取操作，从而可以将小数据块随机读取速度提高了两倍。

第二，改进IO的TRIM延迟。TRIM是非常重要的SSD命令，TRIM过程会对性能有影响，为了降低这部分影响，Solidigm通过智能日志将TRIM推到后台，为前台主机IO释放资源。

第三，介质辅助QoS架构。增强的暂停运行，以渐进的速度实现真实的工作负载和队列深度调优。

第四，优化了CPU、缓冲区利用率和碎片整理效率。通过优化来提供业界领先的随机写入IOPS和QoS的响应表现。

第五，快速读取更广泛的传输数据块。优化了大数据块的读取性能，实现高达16KB的快速读取，加速了混合读、写、云计算和企业级的工作负载。

此外，新产品在监控、可管理性和安全功能方面也有所增强，更易于部署，更易于管理，还可以提供更好的安全性。

落地侧的优势：懂用户

Solidigm善于解决各种问题，这些源自于十数年来，从技术、产品和运营角度解决诸多挑战的专业知识和经验积累。

Solidigm创新技术的价值还包括很多方面。

例如，如果需要设计一台2U服务器，支持一千万IOPS，相比于上一代SSD产品，通过使用D7系列最新产品可以降低存储空间多达27%，功耗降低多达20%。

得益于多种多样的FormFactor设计，D7系列固态盘可广泛应用于多种场景。同时，由于Solidigm D7-P5520和D7-P5620系列产品的所有SKU均采用相同的NAND、固件以及控制器，产品认证过程简单高效。

很多用户因为看中产品的可靠性而选择英特尔，而Solidigm延续高可用设计。这两款固态盘从设计开始即注重高质量和高可靠性。例如，产品中已添加额外的固件检查，来确保断电情况下数据可以被正确存储。

作为一家新品牌，Solidigm无缝服务继续服务大量企业用户，与许多企业保持良好的合作关系。在D7-P5520和D7-P5260系列产品开发早期，字节跳动就与Solidigm展开了合作，出色的实际测试表现之下，D7-P5520系列于2022年3月正式在字节跳动上线部署。

与上代产品相比，D7-P5520在容量、性能上都有大幅度的提升，能够帮助字节跳动数据库和云软件定义存储业务，获得多达33%的性能提升。同时，还显著降低了总体拥有成本，计划中，D7-P5520还将被应用于字节跳动旗下的火山引擎当中。

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