三星发布40纳米DRAM芯片

三星电子前日表示，它计划在今年年底前开始销售40纳米制程的DRAM芯片，其预计使用能耗大大低于目前PC的芯片。

三星公司推出了新一代技术，以扩大其市场的领先地位，内存市场正在经历有史以来最严重的衰退。三星和竞争对手正在尽快向更薄的晶圆挑战以提高电源效率，增加记忆体容量，并降低单位成本。

三星公司声称，这是其首次在该行业建立40纳米制程的DRAM芯片。该组件包括一个1 GB的DDR2芯片和1 GB的，800-Mbps的DDR2 SODIMM。该芯片已被证实用于英特尔的GM45系列高速移动芯片组。

今年年底，三星公司计划利用其40纳米技术大规模生产2 GB的DDR3内存芯片。不太昂贵的40纳米芯片，如DDR2组件，预定于2010年发售。

三星预计，相较50纳米技术，更为小巧的40纳米DRAM将降低30％的功耗。该公司预计迁移到新的制造工艺将会有60％的生产力增长。

DRAM芯片为PC提供系统内存，当然还有越来越多的移动设备和游戏机。制造商的技术到了遭受金融风暴的挫压，市场的供过于求，价格的下降，库存的上升使得厂商"很受伤"。

去年12月， Gartner公司调低了2009年全球半导体市场的预期收益。该研究公司预计，总收入将下降16.3％，约合2192亿美元。下降将标志着这一工业首次遭受连续两年的销售下滑。Gartner表示，去年这一收入下降了4.4％。

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