三星电子前日表示,它计划在今年年底前开始销售40纳米制程的DRAM芯片,其预计使用能耗大大低于目前PC的芯片。
三星公司推出了新一代技术,以扩大其市场的领先地位,内存市场正在经历有史以来最严重的衰退。三星和竞争对手正在尽快向更薄的晶圆挑战以提高电源效率,增加记忆体容量,并降低单位成本。
三星公司声称,这是其首次在该行业建立40纳米制程的DRAM芯片。该组件包括一个1 GB的DDR2芯片和1 GB的,800-Mbps的DDR2 SODIMM。该芯片已被证实用于英特尔的GM45系列高速移动芯片组。
今年年底,三星公司计划利用其40纳米技术大规模生产2 GB的DDR3内存芯片。不太昂贵的40纳米芯片,如DDR2组件,预定于2010年发售。
三星预计,相较50纳米技术,更为小巧的40纳米DRAM将降低30%的功耗。该公司预计迁移到新的制造工艺将会有60%的生产力增长。
DRAM芯片为PC提供系统内存,当然还有越来越多的移动设备和游戏机。制造商的技术到了遭受金融风暴的挫压,市场的供过于求,价格的下降,库存的上升使得厂商"很受伤"。
去年12月, Gartner公司调低了2009年全球半导体市场的预期收益。该研究公司预计,总收入将下降16.3%,约合2192亿美元。下降将标志着这一工业首次遭受连续两年的销售下滑。Gartner表示,去年这一收入下降了4.4%。
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