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三星第六代128层V-NAND当前可能面临量产问题

据Wells Fargo高级分析师,Aaron Rakers表示,三星可能正在面临其第六代也就是128层V-NAND(3D NAND)技术的量产问题。

三星在进行的是单一堆栈技术(小编的理解是努力往上盖高楼且保证稳定性),而三星的竞争对手们则是如双层堆叠(比如2*72层)这样较小的层数构建100层以上的3D NAND。这被称为字符串堆栈( string-stacking)。

比如,铠侠和西部数据的BiCS 5,112层芯片就使用了一对56层堆栈。

三星的第六代V-NAND是128层。第七代是166层。

显而易见,128层的单一堆叠晶圆蚀刻所花费时间是96层相同蚀刻的两倍。蚀刻产生一个穿过各层的导电垂直通道( conductive vertical channel)。如果晶圆产量太低,那么三星的成本就会上升。

Rakers认为三星可能将其第7代,160层3D NAND芯片变更为字符串堆叠技术。不过,字符串堆叠的成本可能比单一堆叠高出30%,这也将激励三星完成其单层蚀刻的工作。

据Sammobile报道,三星已经专门成立了一个工作小组来解决良率问题。

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