海力士获Z-RAM技术授权 引导存储密度革命？

      Innovative Silicon (ISi)近日宣布，已经和韩国海力士公司达成协议，授权后者在DRAM芯片设计中使用Z-RAM技术。该项授权价值超过1000万美元，并且在实现量产后还会继续支付版权费用。
  
      Z-RAM技术被认为是世界上最低成本的芯片集成缓存技术，其最大特点就是不使用电容来保存数据，将原来每个存储单元使用晶体管和电容元件替换为只使用晶体管，并采用SOI工艺，可比处理器缓存常用的嵌入式SRAM得到大得多的密度，能显著提高缓存容量。
  
      ISi去年已经和AMD达成了授权协议，但海力士是业界首家计划采用该技术的DRAM厂商。无论和处理器缓存使用的SRAM还是和DRAM使用的存储单元相比，Z-RAM的纯晶体管存储单元都是体积最小的，因此可以达到最高的存储密度，比目前的DRAM高接近1倍，SRAM高5倍。和DRAM在在同样的功耗下，Z-RAM的速度更高。目前，ISi可将Z-RAM的频率最高设定在500MHz左右。
  
      ISi将和海力士合作，帮助后者开发基于Z-RAM的存储产品，预计采用Z-RAM技术的内存将于2010年左右上市。

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