DRAM市场进入最可怕的“无量下跌”期，出现近9年罕见价格大崩跌

市调机构 TrendForce 最新调查显示，DRAM 产业供过于求加剧下，大部分交易已改为月结价 (Monthly Deals)，进入 2 月后，合约价更罕见出现崩溃式下跌，季跌幅从原先预估的 25 % 扩大至逼近 30%，是继 2011 年以来单季最大跌幅，也创下近 9 年来最深跌幅。

DRAM 合约价跌幅加深有两个原因，一是自 2018 年第四季开始进入修正期后，库存水位仍是持续累积，近期 DRAM 原厂库存（含 wafer bank）来到至少一个半月的高水位，大幅高于正常库存水位。

第二个原因是终端需求的疲弱不振，DRAM 市场进入最可怕的“无量下跌”期，英特尔（Intel）低阶 CPU 缺货情况预期延续至 2019 年第三季末，也是导致需求低迷的原因之一，目前市况是，即使原厂愿意大幅降价求售，也无法有效刺激销量。

要解决当前的“死局”，唯“需求”是问。没有需求大举回笼做后盾，高库存水位持续累积的问题只会一直循环下去，导致今年 DRAM 价格持续下修。

全球 DRAM 产业局势已是三星电子（Samsung Electronics）、SK 海力士（SK Hynix）、美光（Micron）三分天下，相较过去全球 5~6 家 DRAM 厂，为了竞争不时发动价格、不理性扩产，常导致产业陷入负循缓，现在三大供应商都维持一种让产业些许供不应求、不乱杀价破坏市场行情的好默契，在封闭市场享受一定利润。

不过，过去一年 DRAM 厂也面临不少质疑声浪。2017 年国内多家手机厂商联合投诉三大存储大厂操纵 DRAM 价格，国内的反垄断机构因此约谈三星等存储大厂，启动反垄断调查。

虽然该反垄断调查没有具体结果，究竟是市场正常运作？或是联合哄抬报价？不同立场都有各自说法。

另有一个说法是，存储大厂要求客户采购 DRAM 芯片的附带条件，是必须顺带采购价格已先一步走弱的 NAND Flash 芯片，形成一种搭售（bundle）策略，这样的手法在存储业界已经是行之有年，但在此关键时刻下，也再度被提上台面检视是否有灰色地带。

此外，2018 年初美国律师事务所也代表美国苹果（Apple）产品消费者控告三家 DRAM 供应商联合操纵 DRAM 价格，认为三家大厂掌握多数的市占率，为了赚取庞大利益而罔顾消费者的利益。

终端厂商和消费者不断抗议，加上全球经济局势影响，导致需求转弱、英特尔 CPU 缺货等问题，最后都使得 DRAM 价格开始回档，进入 2018 年第三季后，各类型 DRAM 产品的价格逐一由升转跌的趋势，宣告为涨势多年的 DRAM 价格正式画下休止符。

然而，DRAM 芯片已被全球各国视为战略物资，面对眼前一时的价格修正回档，短期扩产或有缩手，但中长期保卫市占率的策略不会改变，因此，三大供应商在市占率上的竞争不会停歇。

SK 海力士日前宣布将斥资 120 兆韩元（约 1,070 亿美元）兴建 4 座晶圆厂，针对既有的 DRAM 厂，未来十年也计画持续投入 55 兆韩元（约 490 亿美元）升级发展，这番震撼业界的大手笔举措，就是为了维持在 DRAM 产业的竞争优势持续，以及确保未来 5G 世代来临后，对于存储的需求会更为迫切热络。

此外，美光也正考虑新建全新的 12 吋 DRAM 厂，预计量产时间约 2021 年，三星目前也正在兴建平泽二厂。可以预见，大者恒大已是 DRAM 产业的不变趋势，剩下的三大厂没有一家是无名之辈，产业竞争不进则退，未来的每一步都是生死之战。

反观国内的 DRAM 产业发展却进入一个僵局阶段，如果没有美国禁运事件的冲击，此时的福建晋华、合肥长鑫或许已进入第一颗国产 DRAM 芯片小量生产的阶段，产业的气氛将是截然不同。

全球 DRAM 产业的竞争进入另一番新局，三星、SK 海力士、美光三大厂结束赚取超额利润的甜蜜期，开始进入养精蓄锐阶段，为下一个 3~5 年做生死交关的长远规划。

于此同时，国内 DRAM 技术的自主开发看似进入僵局，但总有新局在台面下酝酿着，DRAM 产业永远都有新故事、新局势，再等一等，下一章新扉页即将展开。

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