据赛迪网讯，东芝和Infineon日前宣布，它们已合作研发出拥有庞大记忆容量的微型铁电随机存取内存(FeRAM)芯片。从2001年起，东芝和Infineon的50名工程师就一直在东京郊外的横滨东芝半导体技术中心和东芝先进微电子中心研发这种存储芯片，这种新型随机存取内存将芯片整体面积缩减至仅96平方毫米，是传统组件的一半大小，将有助降低成本。
东芝公司发言人表示，这个32Mb铁电随机存取内存芯片上日前已知最高容量的一种内存，相当于三星公司一年前发表的类似组件。它具有耗电量低的非挥发性特点，兼具动态随机存取内存(DRAM)和静态只读存储器(SROM)的快速处理优点，而且关掉电源后其储存的数据不会遗失。
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