算力「芯」动向 | zHBM与zNAND-O首秀FMS 2026 :三星把HBM叠上GPU头顶,内存战争换了个维度,z轴算盘的魅力在哪?

🐆:三星在FMS 2026亮出zHBM与zNAND-O,把内存垂直堆上AI加速器,密度超HBM5十倍。这场Z轴转向的本质,是三星借垂直整合优势把内存竞争从制程之战升级为距离之战,概念已立,量产见真章。

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zHBM与zNAND-O首秀FMS 2026|一文看懂三星Z轴算盘



Z轴开场

当地时间8月4日,FMS 2026在圣克拉拉开幕,三星电子端出一套完整的3D存储路线图,业界首款zHBM与zNAND-O概念模型同台亮相,400层以上的V10 BV-NAND原型同步展出。

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这三款产品分属内存、闪存两条产品线,共享的底层语言却只有一门,垂直堆叠与晶圆键合。

zHBM是整个路线图里野心最大的一块。

今天所有高端AI芯片的内存方案都是2.5D封装,HBM与加速器通过硅中介层并排摆放,英伟达和AMD皆不例外。

这条路径的物理约束已经摆在台面上,中介层面积受光罩极限锁死,HBM颗数堆到八颗就难以为继,内存带宽的增速持续落后于算力增速,内存墙越垒越厚。

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zHBM的思路是把HBM垂直堆到加速器正上方,传输距离从2.5D封装的厘米级,压缩到3D键合的微米级垂直互联。

8×

性能 对比HBM5

10×+

密度 晶圆键合

3×

能效提升

−50%

热阻降幅

指标来自三星 FMS 2026 官方路线图


真正的门槛在散热

这组指标里最值得琢磨的其实是热阻

DRAM天生怕热,温度升高直接拉高刷新功耗并侵蚀数据保持能力,把内存叠在整机功耗最凶的加速器头顶,在过去是违反工程直觉的做法。

三星敢把热阻减半写进路线图,意味着散热与键合工艺才是zHBM真正的技术门槛,也是它试图建立壁垒的地方。

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另一个细节同样关键,zHBM支持在内存与加速器之间的中间层嵌入客户定制IP,内存厂商由此从标准件供应商变成加速器设计的早期参与者,客户一旦在架构层完成绑定,迁移成本将远高于换一家HBM供应商。

这条路线恰好踩中三星独有的结构优势。

把DRAM叠上逻辑芯片,要求内存制造、逻辑代工与先进封装三线深度协同,而三星是全球唯一同时握有这三项能力的存储厂商。

作为对照,SK海力士的HBM基础裸片长期依赖台积电代工。

HBM4世代已经开始考验这种协同,三星今年2月用1c DRAM搭配4nm基础裸片率先量产HBM4,5月起HBM4E样品出货,节奏上重新回到了领跑位置。

zHBM本质上是把这种一体化能力从产品优势升级为架构优势,竞争对手要复制的不只是一颗芯片,而是一整套垂直整合的制造体系。



闪存的同一条暗线

闪存一侧的动作服务于同一个逻辑。

V10 BV-NAND堆到400层以上,存储密度较V9提升约58%,垂直沟道刻蚀逼近物理极限之后,分开制造再键合堆叠成为继续向上的可行路径。

十三年前三星在FMS首发V-NAND,如今同一个舞台上键合接棒成为新的工艺关键词。

zNAND-O则把3D封装引向端侧,基于V-NAND与TSV的四层和八层方案瞄准移动与边缘设备的实时大规模数据处理。

三星早年做过Z-NAND,SLC路线的成本难题始终无解,AI推理催生的高带宽低延迟存储需求,让这条沉寂多年的产品线重新有了成立的商业前提。



泼半杯冷水

需要冷静看待的是时间差。

zHBM仍是概念模型,官方没有给出量产承诺,外界预期指向2029年前后,zNAND-O的目标节点约在2028年,中间隔着整个HBM4与HBM5世代的三年窗口。

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本周闪迪牵头的HBF标准刚刚落地,SK海力士与美光在3D DRAM和键合方向同样有所布局,三星的路线图先人一步,概念领先并不自动转化为量产领先。

存储业务负责人金庆贤那句Samsung is back喊得很有底气,但存储行业从来只认证两件事,良率曲线和客户名单。


透过这场发布能看到的是三星竞争策略的根本转向。

HBM3E世代被SK海力士压制两年之后,在单代产品上追赶已经不足以改写格局,三星选择抬高竞争维度,把胜负手从DRAM制程迁移到3D集成与键合能力上。

内存行业的竞争正从纳米之争演变为距离之争,谁能让数据离算力更近,谁就握住下一个十年的入场券。三星已经把坐标系立起来了,接下来要看的是量产时钟和对手的跟进速度,哪一个先到。



数据与表述基于三星FMS 2026官方新闻稿及公开报道核实
本文仅作产业视角分析,不构成任何投资建议



算力“芯”动向 · 专注AI与算力产业观察


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(1)Samsung Unveils Next-Gen 3D-Memory Vision at FMS 2026, Charting the Future of AI Infrastructure

(链接:https://news.samsung.com/global/samsung-unveils-next-gen-3d-memory-vision-at-fms-2026-charting-the-future-of-ai-infrastructure)

(2)三星电子开启“Z轴”时代,可垂直堆叠于AI芯片的HBM要来了

(链接:https://www.cls.cn/detail/2445915)

(3)三星公布全新3D内存路线图:zHBM的新系统垂直堆叠于AI加速器之上 晶圆键合技术有望实现超过传统HBM5内存10倍的存储密度(链接:https://www.cls.cn/detail/2445742)

本文若有歧义欢迎读者分享指正。



2026全球闪存峰会

随着生成式AI进入规模化落地阶段,大模型训练与推理对存储性能、容量、架构的需求持续攀升,存储正从被动的数据容器,升级为驱动AI产业发展的核心底座。


在此背景下,以“存力跃迁,AI破局”为核心主题的2026全球闪存峰会(Flash Memory World 2026),将于2026年8月26日在中国武汉正式举办。本届峰会由 DOIT 传媒、华中科技大学计算机科学与技术学院、华中科技大学集成电路学院联合主办,汇聚全球存储产业链力量,全面呈现闪存技术前沿突破与 AI 时代的产业新图景。



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