三星展示下一代HBM,性能是HBM5的八倍

三星产品规划与NAND解决方案副总裁Leno Park在媒体沟通会上表示:“我们的目标是实现最高达到HBM5八倍的性能,同时每瓦性能提升三倍。”此外,热阻性能也将改善0.5倍。

2026年FMS上,三星展示了zHBM和zNAND-O概念模型,展现了其对于下一代3D存储架构的技术愿景。

首先来看三星zHBM。这是一种全新的存储架构,将HBM(高带宽内存)直接垂直堆叠在AI加速器上方,突破了传统设计中HBM与AI加速芯片并排放置的方式。

在介绍zHBM性能时,三星产品规划与NAND解决方案副总裁Leno Park在媒体沟通会上表示:“我们的目标是实现最高达到HBM5八倍的性能,同时每瓦性能提升三倍。”此外,热阻性能也将改善0.5倍。

zHBM还支持面向客户的定制化设计,可以将客户定制IP集成到存储器与AI加速器之间的中间层中,从而扩展内存容量,并提升AI加速器性能。

zHBM技术采用晶圆对晶圆(Wafer-on-Wafer)集成方式,并结合混合铜键合(Hybrid Copper Bonding,HCB)技术以及铜对铜直接连接技术。

该技术减少了数据传输距离。同时,TSV(硅通孔)的直径和间距缩小至原来的约三分之一,使TSV密度提升10倍。

Park还表示:“我们将取消复杂的高速SERDES(串行器/解串器)电路的使用。”

不过,zHBM仍面临散热方面的挑战。Park表示:“目前我们正在讨论如何实现这一目标,希望到2030年能够支持每秒1000个Token的处理能力。”

除了zHBM,三星还介绍了一个叫zNAND-O的东西,这是下一代高性能NAND架构,提供4层和8层两种版本。

通过结合更高的空间利用率、更强的I/O性能以及更低延迟,zNAND-O针对边缘AI环境进行了优化,可支持实时、高数据量的AI应用。

最后,三星还介绍了V10 BV-NAND,它拥有400多层堆叠,采用Bonding V-NAND(键合式V-NAND)架构。

通过采用晶圆键合技术堆叠存储单元,三星相比上一代V9产品,将存储密度提升约58%。

相比V9,V10 BV-NAND在读取、写入以及I/O性能方面也实现进一步提升。


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