标签：DRAM

近日，NEO半导体拓展了3D X-DRAM概念，推出了新变体技术。这项技术以3D堆叠结构为核心理念，借鉴3D NAND闪存的经验，结合创新型单元结构和新材料的应用，旨在突破传统DRAM在密度、功耗与性能方面的技术瓶颈，对高性能计算（HPC）...

崔 欢欢2025-05-13先进存力

4月8日，三星发布Q1财报，三星电子当季初步营业利润约达6.6万亿韩元（折合45亿美元），同比下降0.15%。这一业绩表现凸显该科技巨头在新兴人工智能市场布局中的滞后态势。值得注意的是，即便存储芯片市场价格呈现回暖趋势，这家曾经的半导体行业...

张 妮娜2025-04-17业界动态

据路透社报道,2025年3月19日,三星电子在水原会展中心召开了第56届股东大会。会议期间,股东对三星半导体业务提出诸多质疑。对此,半导体暨装置解决方案(DS)部门负责人、副会长全永铉表示,在人工智能竞争的时代,HBM是一个极具代表性的组件...

张 妮娜2025-03-31业界动态

行业相关人士@Jukanlosreve于3 月 14 日在 X 平台发布推文，曝料称三星半导体代工业务陷入危机，由于 3nm（SF3）节点良率问题持续未解，叠加 5nm、7nm 产线利用率不足被迫关停等影响，可能取消原计划于 2027 年底...

张 妮娜2025-03-22业界动态

—— 使用虚拟制造为先进DRAM结构中的电容器形成工艺进行工艺窗口评估和优化 持续的器件微缩导致特征尺寸变小，工艺步骤差异变大，工艺窗口也变得越来越窄[1]。半导体研发阶段的关键任务之一就是寻找工艺窗口较大的优秀集成方案。如果晶圆测试数据不...

谢 世诚2023-11-24业界动态

全球半导体存储解决方案领导厂商华邦电子将于7月11日 – 7月13日首次亮相慕尼黑上海电子展7.2馆B206。届时，TrustME、Flash、DRAM三大明星产品线以及华邦电子合作伙伴生态产品将悉数亮相，更有行业专家与到场观众...

张 妮娜2023-07-06业界动态

6月中下旬美光开始出货使用1α节点制造的LPDDR4X芯片。

崔 欢欢2021-06-02先进存力

预计2022年，内存IC（集成电路）销售额将达到1804亿美元

崔 欢欢2021-05-28先进存力

三星首款DRAM-less固态硬盘,消费者以更高性价比体验NVMe速度 韩国首尔— 2021年3月10日电—拥有先进存储技术的三星电子于今日宣布推出NVMe 980固态硬盘[1],这是三星电子首款DRAM-less消费级固态硬盘。980固态...

张 妮娜2021-03-10业界动态