集邦咨询:手机及服务器供需缺口扩大,第三季NAND Flash品牌商营收季增14.3%
谢 世诚 发布于 2017-11-21
集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新报告指出,受传统旺季、智能手机、服务器及数据中心对SSD需求拉升等因素影响,今年第三季度整体NAND Flash供需缺口较第二季扩大,但因价格已经历长时间连续调涨,导致价格已接近各OEM厂接受的上限,各产品线合约价在第三季增幅...
谢 世诚 发布于 2017-11-21
集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新报告指出,受传统旺季、智能手机、服务器及数据中心对SSD需求拉升等因素影响,今年第三季度整体NAND Flash供需缺口较第二季扩大,但因价格已经历长时间连续调涨,导致价格已接近各OEM厂接受的上限,各产品线合约价在第三季增幅...
崔 欢欢 发布于 2017-07-25
虽然最近西部数据和东芝忙着掐架,但两家似乎都没打算耽误正事,本周西部数据宣布已经成功开发出每单元四比特——X4闪存技术用于旗下64层3D NAND产品。西部数据已经在其2D NAND产品上采用了X4的创新技术,构建(技术和商业方面)并开发了适用于3D NAND的新型X4技术,并且...
李 卫忠 发布于 2017-05-10
5月10日,英特尔在其大连工厂发布了两款全新采用3D NAND技术的数据中心级固态盘:DC P4500系列及DC P4600系列。 3D NAND全新数据中心级固态盘发布 英特尔采用3D NAND技术的全新数据中心级固态盘发布仪式 这两款产品主要为云存储解决方案所设计,可应用于软...
崔 欢欢 发布于 2017-05-02
3D NAND是对闪存单元层进行垂直向上堆叠,类似于微观摩天楼,有近期报道称其今年将成为全闪存内存的重要技术。 据一家分析机构最新预测,NAND闪存制造商已经把重点放在将其制造厂改造成3D NAND芯片制造厂,而与传统2D NAND相比,其生产速度更快,密度更高,成本更低。 &n...
崔 欢欢 发布于 2017-02-07
今日,西部数据宣布其新型512GB,64层3D NAND芯片在日本四日市制造厂已经开始试生产,该芯片硅晶圆采用了TLC闪存设计(可实现每单元3位的存储量)。并且公司计划在2017年下半年开始大批量生产。是不是有些似曾相识,我们倒回2016年7月,西数宣称开始对采用其BiCS3技术...
崔 欢欢 发布于 2016-12-05
我们从今年5月份开始报道NAND出现短缺迹象,随后几个月许多研究机构也纷纷爆出自己的研究结果——DRAMeXchange称MLC SSD在本季度平均价格浮动在6%-10%之间,同时TLC SSD也增长了6%-9%。分析机构Trendfocus则预测称零售与OEM价格将跃升。更糟糕...
张 妮娜 发布于 2016-11-26
11月24日,宝存科技(Shannon Systems)亮相“GITC全球互联网技术大会”, 并为其全新升级的固态闪存新品举行了发布会。宝存共推出Shannon Hyper-IO NVMe SSD和两款升级版Shannon Direct-IO PCIe Flash,三款固态闪存产...
孙 可 发布于 2016-11-21
2016年第一季度,SSD全球出货量达3077.7万块,相比于2015年Q1季度的2319万片,同比猛增32.7%。SSD正在快速抢占HDD市场份额,HDD出货量也因此出现持续大幅度下滑。 对于闪存颗粒行业来说,2016年也是革命性的一年。随着TLC颗粒、3D-NAND技术的不断...
崔 欢欢 发布于 2016-08-26
3D NAND芯片的架构能使SSD速度更快,更具耐久性,但之前仅可用于少数驱动器。而这些新型SSD支持NVMe协议,提供比最初为硬盘设计的SATA控制器更快的数据吞吐量。 新型SSD包括入门级消费驱动器,起步价在100美元以下。但游戏玩家可能还会想等英特尔的怪兽级Optane S...
谢 世诚 发布于 2016-07-01
6月30日,中国闪存峰会在北京举行 。 武汉新芯执行副总裁、商务长陈少民先生在参与“大存储产业和中国力量”对话中表示,武汉新芯选择3D NAND,是中国半导体产业弯道超车的机遇。 武汉新芯执行副总裁、商务长陈少民先生。 陈少民先生指出,大存储是一个比较有中国特色的词,它首先代表中...
崔 欢欢 发布于 2016-06-01
美光今年初宣布其SSD开始采用3D NAND技术,本周二在台北国际电脑展上终于推出了两款基于3D NAND的产品——美光1100 SATA SSD和2100 PCIe NVMe SSD(目前仍处测试期),前者预计7月中旬发售,后者则计划夏末出货。 美光1100 SATA SSD,...
崔 欢欢 发布于 2016-05-26
新光刻技术:交替堆叠沉积 总之,3D NAND和现有平面NAND表现出了极大背离。在2D NAND中,它的制程是依赖于高级光刻技术。虽然3D NAND制程中采用了后缘40纳米到20纳米的设计规格。光刻技术仍在使用,但它不再是最关键的环节。因此对于3D NAND,所面临的挑战从光刻...
崔 欢欢 发布于 2016-05-25
2013年,三星发售全球首款3D NAND设备,在IC(集成电路)业界达到了一个里程碑。现在,经过一些延迟与不确定性后,英特尔,美光,海力士,闪迪/东芝二人组对3D NAND最终加大产能或进行取样。 相对现有平面或2D NAND,3D NAND无疑是翘首以待的“继承者”,它适用于...