美光128层第四代3D NAND芯片完成首次流片

有消息称，美光科技第四代3D NAND芯片完成首批流片，新一代产品基于美光全新研发的取代栅极（Replacement Gate）架构。不过美光也表示，新一代产品计划于2020年实现量产，但仅将应用于特定领域，因此，明年其3D NAND成本降低将会很少。不过美光承诺2021财年（2020年9月份开始），大规模应用取代栅极结构后，每bit的成本将有效降低。

美光新型取代栅极架构将首次应用在128层产品中，继续沿用CMOS阵列。美光之前的3D NAND闪存芯片采用同英特尔一起研发的浮栅结构，新一代取代栅极结构有望让晶圆大小和成本进一步降低，并可以更轻松过渡到下一代3D NAND技术。

该技术完全由美光公司开发，没有英特尔的任何投入，因此它很可能是针对美光最希望面向的应用量身定制（可能是高ASP，如移动设备，消费类产品等）。

美光CEO，Sanjay Mehrotra表示，我们已经成功完成取代栅极架构的3D NAND芯片的首次流片。首代取代栅极架构将被应用于128层NAND产品。

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