2020年长江存储计划跳过96层3D NAND直接进入128层

继32层3D NAND于2018年底前投入量产，业界人士透露长江存储Xtacking™架构的64层NAND样品已经送至合作伙伴进行测试，读写质量大致稳定，预计最快将在2019年第3季投产。长江存储更计划在2020年跳过96层3D NAND，直接进入128层堆叠。

长江存储CEO杨士宁博士曾在CFMS2018峰会上表示，长江存储在NAND Flash上投入了很多研发和生产精力，3D NAND的研发也是建立在这个基础之上，并于2015年和美国合作伙伴签订了联合研发协议研发3D NAND芯片，而采用Xtacking™架构的64层3D NAND跟传统架构的96层相比，容量仅低15%。业界预计2020年推出的128层堆叠可与国际大厂展开竞争。

现在长江存储64层3D NAND已经送样，2019年第3季将可投产。在产能方面，长江存储武汉存储基地一期已经投入生产，原本该工厂计划的是一个10万片产能的平面一层工厂，但实际可以做到15万。为了进一步扩大生产规模，武汉存储基地二期和紫光成都存储器制造基地已经开工，正在不断扩大生产规模。

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