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三大芯片厂商合作开发10纳米级NAND技术

DOSTOR存储在线11月2日国际报道:英特尔、三星和东芝已经组成联盟,它们将联合开发10纳米级半导体产品,以生产容量更高的DRAM和闪存产品,比如400GB的闪存芯片和速度更快的处理器。

据国外媒体报道,三家厂商打算在不久之后组成联盟,它们将与日本经济部以及另外10家公司一起合作,开发新的半导体材料。它们将使用日本Ibaraki县的一个研究所,研究新工艺以改善半导体技术。研发工作包括光阻材料胶质、光掩膜和芯片制造工具的研发。

日本经济部将提供50亿日元的资金,三家厂商再共同提供50亿日元的资金,共计100亿日元(约合1.242亿美元)。

英特尔是全球最大的芯片厂商,三星和东芝是最大的两家NAND芯片厂商。这标志着美国、韩国和日本芯片厂商首次以这种方式与日本政府部门携手合作。

10纳米级工艺指的是利用几何尺寸在10纳米到19纳米的工艺,而不是字面上的10纳米。它们计划用紫外线照射设备来开发10纳米级照相平版印刷术工艺,预计2012年开始生产产品。

目前最高级的NAND几何尺寸在24到26纳米之间。这也可以反映出三家厂商和日本经济部合作将工艺纳米级降至20纳米以下的研发成本。

由于美光科技与英特尔合作建立了Intel Micron Flash Technologies,SanDisk与东芝也在闪存生产厂业务上进行合作,因此美光科技和SanDisk也都能从此项合作中受益。三星正在同希捷合作开发Flash控制器,另外它还投资了PCIe闪存产品供应商Fusion-io。东芝投资了闪存存储阵列产品供应商Violin Memory。所有这些合作关系意味着10纳米级NAND芯片将很快被应用于固态硬盘和PCIe闪存卡中。

除了NAND容量增大之外,DRAM芯片能力将是目前的芯片的3倍。处理器中安装的核心数量也会增多。英特尔可能不会是从中受益的唯一处理器供应商,因为三星和东芝也都获得了ARM的芯片技术授权。

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