晶圆厂直指28/20纳米 2012年或进入量产

为提高在亚洲的晶圆代工市占率，全球晶圆（GlobalFoundries）营运长谢松辉表示，GF正快步迈进28/20纳米阶段，目前在美国纽约投资兴建的Fab 8晶圆厂，便以28/20纳米制程为主，预计在2012年将可进入量产阶段，届时每月产能可达到6万片。

28奈米制程将有突破

意法半导体（STM）已经确定在28奈米制程的芯片产品上与全球晶圆合作，预计今年底，在High-k金属闸极技术有所进展之下，28纳米制程应用将会有更进一步的突破。除了意法之外，IBM和Samsung参与其中的Common Platform联盟，也会与全球晶圆在28奈米制程密切合作。全球晶圆亚太区与日本销售副总裁郑伯铭更进一步表示，全球晶圆与IBM也已完成签约，将合作代工22纳米微处理器产品。

除此之外，ARM的双核Cortex-A9处理器也采用全球晶圆的28纳米HP和High-k金属闸极技术，主要制程是在德国的Fab1晶圆厂。在与ARM的合作计划上，谢松辉指出主要的两大方向，其一是扩大测试芯片IP的组合方案，开发各项可能性的技术合作，其二则是ARM处理架构的合作，以列出函式库和存储器处理为核心。

同时由于新制程有所突破，AMD的CPU/GPU Combo芯片也会和GF晶圆代工密切合作。在设计服务部份，全球晶圆主要持股掌握虹晶科技（Socle Technology）之后，也进一步取得在消费电子多媒体芯片和类比芯片设计的关键智财权。

预计到2012年，全球晶圆的资本支出水位应该还是会维持在25~27亿美元左右，设备投资部份将占较大比重。不过资本支出维持高水位，并不代表产能就会立即明显成长，今年第4季到明年第1季的产能，应该还是会经历季节性调整的起伏。至于在美元相对居贬、亚洲货币不断升值的情况下，全球晶圆的外汇避险机制、以及分散于新加坡、德国Dresden和美国纽约的晶圆厂布局，可让汇率变动所造成的风险降到最低。

对于今年全球半导体制程的景气预估，谢松辉是相对审慎乐观的，包括无线基频芯片以及机上盒和数位电视等消费电子的高速成长，有效地抵销了在PC和显示领域芯片动能不足的负面影响，应该可以维持在4~5%甚至期待5%以上的成长率。

技术部份

在28/20纳米先进制程技术部份，GF则是看好波长13.4nm的次世代超短紫外光（Extreme Ultraviolet;EUV）晶圆光罩制程和High-k金属闸极技术。全球晶圆企业计划管理部门副总裁Nick Kepler指出，浸润式微影技术（immersion lithography）虽然也可应用在20奈米制程，但是会遇到更为复杂的技术挑战和成本问题，例如双重曝光成像（double patterning）提高显影分辨率时，EUV就较能符合需求。

EUV光罩制程成熟化后，成本可大幅降低，并且可以有效量产，Nick Kepler进一步认为，进入到20奈米制程以下，EUV甚至有可能是唯一可符合微影制程需求的光罩技术选项。至于High-k金属闸极技术，则可以随着微型化的制程节点，扩大闸极长度，不仅能降低等效氧化层（Equivalent Oxide Thickness;EOT）厚度，并且继续提升效能。

值得注意的是，全球晶圆这次也公开宣示进一步扩展微机电MEMS制程的决心，包括加速度计、陀螺仪、射频MEMS等产品，都是全球晶圆切入的重点，GF也将积极强攻车用MEMS领域。郑伯铭指出，以往全球晶圆在MEMS制程，主要是接受IDM厂委外代工为主，现在将朝向轻晶圆厂（Fab- lite）的合作模式发展，越来越多的无晶圆厂MEMS厂商，也将出现在全球MEMS市场，而8寸MEMS晶圆将成为主流。今年底前，全球晶圆将完成 MEMS制程的基础建设，预计在明年中之后开始量产。

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