英特尔加快OUM统一存储格式工作进度

当我们看英特尔2001年第一次重新审视OUM统一存储格式(Ovonic Unified Memory)时，Ovonyx的建立似乎安静的多(www.ovonyx.com也许是世界上最美丽的网站之一，Ovonyx 是ECD Ovonics和Intel的合资公司来发展和商业化OUM存储技术)。

OUM是一种非常奇妙的数据存储技术，它是在20世纪60年代由 Stanford Ovshinsky最早研究的，目的在于非挥发性的Flash、SRAM的速度和DRAM的小型化之间取得平衡。

现在闪存是最常见的非挥发性存储格式了，其他还有EEPROM和FRAM。在电源关闭的时候，数据不会丢失。闪存格式主要有两种，分别是NOR和NAND，不需要太多的细节。NOR型闪存主要用在通过直接的数据/地址总线传输执行代码更小的设备上，像PC的BIOS;而NAND 型闪存的传输方式更像IDE设备，用于较大型的设备。

这两种闪存技术都需要门电路晶体管存储数据值，将电容器建在MOSFET门电路内是一种有效的方法，另外一个门电路在附近去负责充电荷或移除电荷。电容器存储电荷的多少将决定需要多少的电压来开启或关闭晶体管。

闪存存储方式的问题在于存储单元的有限写入次数大概只有10-100,000次，事实上你只能在一个存储单元中写入0值，存储1值得方式是擦除多个存储单元的存储块，然后全部重写。当然，这个过程是如此之短以至于你不能发觉。

OUM则是一个新的伙伴，OUM使用金属的相变来存储数据位，非常接近于可刻录光盘。与晶体管的开关来表示1或0不同，OUM用金属的在晶态和非晶态之间的相变来表示。

处于晶态时，阻抗更小，能够高度定制，所以简单地得知它的状态，当然它也是非挥发性的。这对制造厂商也是非常简单，它只需要讲一片薄层金属沉淀在芯片上，这比简单多了，实际上它的也能保持长时间的存储，达到10万亿次写入次数。更小的电压、更快的速度、而且在缩小时表现更好，不像DRAM，除非你让它直立，当体积缩小减少电容器的容量会降低性能。

它似乎是个全能冠军，不过商业化还需要一段时间。2000年，英特尔入股Ovonyx。此后，Ovonyx先后向意法半导体、日本的Elpida，以及三星授权OUM存储技术，希望作为闪存的潜在替代品。也许我们会在将来的的iPOD产品中看到它。

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