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提速20倍!美光宣布混合存储立方体技术

上周末,美光公司在一场投资者会议上宣布了自己在内存技术领域的新突破。这项创新技术名为“混合存储立方体”(Hybrid Memory Cube,HMC),号称单颗HMC芯片的性能是DDR3内存条的20倍。美光DRAM内存业务副总裁Brian M.Shirley表示,内存带宽问题如今往往会成为计算机系统的瓶颈。而其症结往往在于总线,即从DRAM内存芯片读写的数据无法马上达到处理器。他举 例称,DDR2到DDR3的升级被屡屡推迟就是如此,因为人们无法从升级DDR3看到内存性能的提升。

为解决这一问题,HMC采用了堆叠封装技术,将多层DRAM和一个逻辑电路层封装在一起,并通过TSV硅穿孔技术进行互联。这种立体的结构因此才被称为“立方体”。

美光表示,HMC技术的关键就在于底层的这一层逻辑层,它实际上扮演了内存控制器的角色,可以使用超高带宽总线和CPU连接,消除内存与CPU之间的带宽/性能瓶颈。

据称,单颗HMC芯片的性能超过DDR3内存条20倍以上,同时单位bit存储空间的功耗仅仅是现有内存技术的十分之一,同等容量HMC的体积也仅仅是目前使用RDIMM内存条的十分之一。

HMC技术将首先应用于高性能领域,比如100Gbps高速网络设备或超级计算机等。预计首批HMC企业级产品将在2012年亮相,2013年大批量推出,2015、2016年左右进入消费领域。

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