台湾研发出全球最小9纳米电阻式内存技术

台湾“国研院”纳米(台称“奈米”)组件实验室日前开发出全球最小的9纳米功能性电阻式内存(R-RAM)数组晶胞；这个新内存在几乎不需耗电的情况下，1平方厘米面积内可储存1个图书馆的文字数据，将让信息电子产品的轻薄短小化有无限发挥的可能性，这项技术预计在5到10年内进入批量生产。

负责“9纳米超节能内存”开发的何家骅博士说，随着可携式3C产品对体积越来越小以及容量越来越大的需求日益增加，如何能研发出体积更小、记忆量更大的内存，是全球研究人员努力的目标。

如今台湾开发出最小的9纳米功能性电阻式内存(R-RAM)数组晶胞，容量比现在的闪存增大20倍，但耗电量却降低了200倍，应用这个技术在1平方厘米面积下，可以储存1个图书馆的文字数据，而且可再借立体堆栈设计，进一步提升容量，让信息电子产品的轻薄短小化有无限发挥的可能性。

该开发成果已于12月8日在美国旧金山举行的国际电子组件会议正式发表。

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