IBM公司上周末宣布，已经成功使用32nm SOI工艺打造出了eDRAM嵌入式存储芯片原型样品，号称是“全世界体积最小、存储密度最大、速度最快的芯片内嵌动态存储设备”。
IBM表示，相比体硅工艺，32nm SOI工艺能够提供30%的性能提升，同时功耗下降40%。而对比各大厂商在芯片缓存中通常使用的SRAM，eDRAM的每个存储单元只需要一个晶体管，因此体积更小，存储密度更高，速度和容量都比32nm/22nm SRAM有明显优势。
具体来说，新32nm eDRAM存储密度是2008年8月他们创造“全球最小存储单元纪录”的22nm嵌入式SRAM的两倍，32nm SRAM的四倍。如使用这一技术，处理器的内置缓存容量将得到成倍提升。
速度方面，32nm SOI eDRAM的延迟和工作循环时间均小于2ns，是目前速度最快的嵌入式存储设备。而它的待机功耗还是同类SRAM的四分之一，出错几率是SRAM的几千分之一。
IBM表示，将在12月举行的国际电子设备会议上介绍32nm和22nm的eDRAM技术细节。而该技术未来将被使用在IBM的服务器处理器以及多种应用芯片中，并授权给IBM的多家合作伙伴使用。
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