LSI通过1TB闪存达到百万次IOPS性能水平

LSI通过1TB希捷闪存取得100万次IOPS（每秒输入输出）性能，表明用户可以用更少的闪存获得更高的性能。

2008年9月，Fusion-io和IBM在IBM的Quicksilver项目上达到100万次IOPS的性能。该项目使用了41个ioDrive驱动器，配置4TB闪存，同时将这些闪存连接到由14个IBM SAN Volume Controller（SVC：存储局域网卷控制器）所组成的集群。

2008年，Texas Memory System的RamSan 5000闪存阵列达到了100万次IOPS的性能，赶上了Fusion和IBM的水平。TMS的设备实际上是将10个RamSan 500整合到一个机架。每个RamSan 500包含64GB DRAM（动态随机存取记忆体）高速缓存和高达2TB的单层单元（SLC）NAND闪存芯片。这确实是把好多NAND闪存整合到一起，简直就像是一个暴力破解示范。

2009年4月，惠普通过2.5TB的ioDrive也达到了同样的IOPS水平，不过使用的闪存容量比Fusion/IBM的少36%。惠普使用了5个320GB的ioDrive Duo和6个160GB的ioDrive。惠普的Proliant服务器使用4个四核的AMD Opteron处理器，进行2KB随机读写（读取和写入的比例为70%和30%），达到了100.9384万次IOPS的性能水平。

现在，LSI在一个"白盒"服务器上配置6个LSISSS6200 320GB PCIe SSS卡和2个英特尔Xeon 5590处理器。LSI只使用了1.02TB的SLC闪存。IBM需要14个SVC，惠普需要4个服务器，LSI只需要一个服务器。为了显示闪存相对于硬盘驱动器的优势，LSI表示，要达到同等的IOPS水平，如果采用硬盘驱动器的话，需要2500个驱动器，三个机架的存储，同时要消耗320倍的电能。

上述三个百万级IOPS的范例还不能看作标杆，因此不能直接比较。但是通过它们，我们看到未来可以用更少的闪存来达到100万次IOPS的性能水平。

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