镁光年中量产25nm闪存 明年转向更高制程

镁光公司NAND闪存市场开发部门的经理Kevin Kilbuck近日透露镁光计划明年将其NAND闪存芯片制程转向25nm以下级别，他表示镁光今年年中将开始批量生 产25nm制程NAND闪存芯片，并将于明年转向更高级别的制程。他并表示镁光也计划开发自己的电荷捕获型 （charge trap flash (CTF)）闪存技术，以取代现有的浮栅型（ floating-gate）NAND闪存技术。

Killbuck还向Digitimes网站表示，镁光的新款NAND闪存芯片将遵循新的EZ-NAND规范。目前开 放式NAND闪存接口工作组（ Open NAND Flash Interface (ONFI) industry working group）正在编制EZ-NAND规范标准，预计该标准的编制工作将于今年年中完成。

EZ-NAND规范的重要特性是要求NAND闪存芯片内建ECC纠错功能，这样设计者便不需要频繁改进闪存控制器以便满足ECC纠错的需求。

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