美光宣布推出232层3D NAND 闪存

美光公司本周官宣了业界首个具有232层的3D NAND闪存，该公司计划将其新的 232层 3D NAND 产品用于各种产品，包括固态硬盘，并计划在2022年底左右开始量产此类芯片。

图片来源：美光

美光的 232 层 3D NAND 闪存采用 3D TLC 架构，原始容量为 1Tb（128GB）。该芯片基于美光的 CuA 架构，并使用 NAND 字符串堆叠技术，在彼此的顶部建立两个 3D NAND 阵列。

CuA 设计加上232层 NAND，将大大减少美光 1Tb 3D TLC NAND 闪存的芯片尺寸，这有望降低生产成本。

美光没有宣布其新的232L 3D TLC NAND IC的I/O速度或平面数量，但暗示与现有的3D NAND 设备相比，新的内存将提供更高的性能，这对采用 PCIe 5.0 接口的下一代SSD特别有用。

谈到固态硬盘，美光的技术和产品执行副总裁Scott DeBoer指出，该公司已经与内部和第三方NAND控制器（用于固态硬盘和其他基于 NAND 的存储设备）的开发者密切合作，以实现对新型内存的支持。

在其232层3D TLC NAND 的其他优势中，美光还提到与上一代节点相比功耗更低。考虑到美光将在2022年年底开始生产232 层3D TLC NAND设备，预计采用新内存的固态硬盘将在2023年左右到来。

未经允许不得转载：DOIT » 美光宣布推出232层3D NAND 闪存