2021存储芯图即将发布，修改意见持续征集中！-DOIT

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早在2018年全球存储半导体大会暨全球闪存技术峰会期间，百易传媒（DOIT）特别制作了2018存储芯图，旨在帮助大家全面了解存储半导体及闪存企业和产业生态。

2018存储芯图发布以来，我们得到了许多关注，其中存在的勘误和错误也逃不过专家的眼睛，因此也收获了一些修改意见和批评建议。

有鉴于此，2021年存储芯图上线之前，希望得到大家的反馈和回应，希望能呈现更准确，更有参考价值的存储芯图。

在上周发布了修改招募意见以来，我们收到了几十余条修改意见，包括关于：铠侠电子、英韧科技、江苏华存电子的相关更新信息，修改意见持续征集中，希望能收到更多反馈和关注。

2021年7月29日-30日，2021全球闪存峰会即将在杭州国际博览中心举办，2021存储芯图将重新登场，以全新面貌示人。

回顾旧版2018存储芯图包括半导体材料、芯片设计、芯片制造、封装测试、控制器、SSD/存储模块、闪存存储系统七个部分，作为关注存储领域的专业媒体，我们将重心放在闪存本身。

在2018年全球存储半导体大会暨全球闪存技术峰会期间，话题的重点也集中在闪存控制器以及SSD/存储模块以及闪存存储这三大部分，对于芯片设计和芯片制造以及封装部分的话题涉及较少。

但从闪存半导体芯片产业整体来看，单独只说其中一部分仍有所欠缺。

因此，2021年的存储芯图将继续保留芯片设计和芯片制造的部分，过去几年发展中，中国的芯片设计和制造能力也有了可见的提升，除SSD控制器以外，在NAND市场中也有了一席之地。

2018年旧版芯图回顾

2021年存储芯图将包括芯片设计、芯片制造、闪存介质（包括NAND以及非NAND类的创新介质）、SSD控制器、SSD/存储模块（包括存算一体化和可计算型存储）以及全闪存存储系统六大部分。

欢迎提出修改和补充意见，您可点击或扫描二维码来反馈内容，感谢您的参与！您的反馈最终结果将在7月29-30日举办的2021全球闪存峰会期间体现！

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2021存储芯图即将发布，修改意见持续征集中！