时光回溯：进击的闪存！

时光回溯——自1967年闪存技术初步形成至今，闪存的兴起与发展。

1967年

贝尔实验室江大原（Dawon Kahng，韩裔）和施敏博士（Simon Sze）共同发明了浮栅MOSFET，即所有闪存，EEPROM和EPROM的基础。

1970年

Dove Frohman发明第一款成功的浮栅型器件——EPROM，通过照射紫外线光擦除，在存储软件中大受欢迎，对英特尔成功推出微处理器至关重要。

1979-81年

美国闪存存储开发商SanDisk(闪迪)创始人，Eli Harari当时受聘于英特尔，发明了世界上首个电可编程和可擦除存储器——EEPROM。

1984年

闪存之父Fujio Masuoka博士在东芝时提交了一份关于浮栅新用途的行业白皮书，称芯片内容可在相机闪光（flash）的瞬间被擦除，闪存（Flash Memory）因此得名。

1986年

英特尔推出闪存卡概念，并成立专注SSD的部门。

1987年

Masuoka博士再接再厉发明了NAND闪存即2D NAND。

1988年

英特尔推出首款商用闪存芯片，成功取代EPROM产品。3月1日，Eli创立Sundisk(后更名为SanDisk闪迪)提供闪存存储产品。

1989年

SunDisk提交系统闪存专利；

M-Systems成立，不久推出闪存磁盘概念，这就是闪存SSD的先驱。

微软与英特尔合作推出闪存文件系统；

英特尔发售512K和1MB NOR Flash，而西部数据与SunDisk完全模拟传统ATA硬盘推出基于NOR Flash的SSD；

三星和东芝分别推出比NOR Flash成本更低，耐用性更高的NAND闪存，主要适用于如PC卡等大容量存储设备。

90年代初

闪存市场规模急速扩张，1991年市场规模达到1.7亿美元，1992年达到2.95亿美元，1993年升至5.05亿美元，1994年达到8.64亿美元，1995年直接达到18亿美元。

91年，SunDisk推出首款基于闪存的ATA SSD，容量为20MB；

10000台IBM ThinkPad掌上笔记本电脑提供SSD取代磁盘的服务支持；

东芝发布全球首个4MB NAND闪存。

1992年

AMD和富士通推出首款NOR闪存产品；

英特尔推出包括第二代FFS 2，8MB闪存芯片，4MB-20MB线性闪存卡和用于BIOS应用的1MB Boot Block NOR Flash，首次采用内部写状态机管理闪存写算法；

PC正式开始采用闪存进行BIOS存储。

1993年

英特尔推出16MB和32MB NOR Flash，同年苹果在自己的Newton PDA中开始使用NOR Flash；

1994年

SunDisk针对SSD应用推出Compact Flash卡和18MB串行NOR Flash芯片。

1995年

SunDisk更名为SanDisk（闪迪）推出34MB 串行NOR Flash，这是首款面向SSD应用的MLC闪存芯片。

1996年

三星开始发售NAND闪存；

SanDisk推出采用MLC串行NOR技术的第一张闪存卡。

1997年

第一部手机开始配置闪存，消费级闪存市场就此打开。

1999年

东芝和SanDisk合作创建闪存制造合资企业；

美光宣布超过10亿的闪存芯片已发售；

NOR Flash营收突破40亿美元。

2001年

东芝与SanDisk宣布推出1Gb MLC NAND，同年SanDisk推出首款NAND系统闪存产品；

三星开始批量生产512MB的闪存设备。

2004年

NAND价格首次基于同等密度低于DRAM,成本效应将闪存代入计算领域。

2005年

三星率先采用70nm制程量产NAND闪存；

美光推出NAND产品；

微软发布混合硬盘概念；

NAND总发售容量超过DRAM。

2006年

SanDisk的重要节点之一——宣布推出单元存储4比特的NAND技术，并收购Martix Semiconductor和M-Systems两家公司；

美光和英特尔合作组建IMFT合资公司制造NAND闪存；

NOR闪存制造商Spansion推出ORNAND闪存，并宣布开始采用65nm制程工艺生产300mm晶圆。

三星和希捷展示首款混合硬盘；

2007年

东芝推出eMMC NAND及首款基于MLC SATA的固态硬盘，同年Fusion-io宣布推出基于 MLC NAND的640 GB ioDrive；

美光和英特尔的IMFT开始发售50nm NAND闪存；

苹果正式推出初代配置4GB或8GB闪存的iPhone；

Spansion收购非易失性内存（NVM）知识产权授权供应商Saifun；

戴尔对自身笔记本电脑配置加入了SSD选项，将售价低于200美元的上网本加入闪存存储；

希捷推出第一款混合硬盘——Momentus PSD。

2008年

Violin首次推出基于全闪存存储设备；

IBM首次展示了“百万IOPS”的闪存阵列，而EMC正式宣布将基于闪存的SSD用于企业SAN应用；

英特尔和美光宣布推出34nm 32Gb MLC NAND，三星宣布推出128GB 2.5英寸MLC SSD，同年东芝首次推出512GB MLC SATA SSD，并宣布开发3D NAND结构BICS；

美光推出首款串行NAND闪存；

2009年

希捷进入SSD市场，同年西部数据收购SiliconSystems也进入了SSD市场。

英特尔和美光推出34nm TLC NAND；

Virident和Schooner针对数据中心推出了第一款基于闪存的应用设备；

Plaint推出首款SAS SSD。

2010年

英特尔和美光公司推出25nm TLC和MLC NAND；

闪存芯片制造商Numonyx被美光收购；

三星开始生产64Gb MLC NAND；

希捷宣布推出首款自管理混合硬盘——Momentus XT。

2011年

闪存市场迎来收购年。

LSI收购SandForce；

SanDisk收购固态硬盘制造商Pliant Technology；

苹果收购Anobit；

Fusion-io收购IO Turbine；

希捷推出二代Momentus XT混合硬盘，包含8GB NAND闪存和750GB HDD存储容量。

2012年

SK电信收购海力士半导体的控股权，SK海力士诞生；

三星创造3D NAND，推出第一代3D NAND闪存芯片，半导体进入立体堆叠时代；

美光推出全球首款2.5英寸企业级PCIe SSD；

SanDisk和东芝宣布推出支持128Gb芯片的19nm闪存，同年，SanDisk还收购了PCIe缓存软件供应商FlashSoft；

美光和英特尔推出20nm的128Gb MLC NAND芯片；

希捷推出结合闪存和HDD的第三代混合硬盘SSHD；

Elpida推出新一代内存技术ReRAM；

同年，OCZ收购闪存存储和虚拟化软硬件开发商Sanrad；

三星收购闪存软件开发商NVELO；

英特尔收购Nevex并推出CacheWorks；

2013年

三星宣布第一款32层 SLC V-NAND SSD——850 PRO，同年美国闪存峰会上展示了1TB SSD；

Diablo Technologies宣布推出内存通道存储技术；

Everspin宣布发售号称会取代SSD架构中DRAM位置的STT MRAM；

M.2 PCIe接口正式发布NVMe标准，加速与闪存存储的通信；

西部数据和SanDisk采用iSSSD+HDD推出了混合硬盘SSHD，同年东芝也推出了一系列SSHD混合硬盘；

西部数据先后收购了闪存软件公司sTec，Virident和Velobit；

SanDisk收购企业级SSD开发商SMART Storage Systems；

美光收购破产的日本芯片制造商尔必达。

2014年

三星开始发售32层 MLC 3D V-NAND——850 EVO。同年三星，SanDisk和东芝宣布推出3D NAND生产设备；

IBM宣布其eXFlash DIMM采用SanDisk ULLtraDIMM以及Diablo的内存通道存储技术。

2015年

英特尔和美光宣布推出3D XPoint Memory，英特尔还基于XPoint技术推出了Optane DIMM和SSD；

东芝和SanDisk宣布推出48层 256Gb 3D NAND，英特尔和美光宣布推出384Gb 3D NAND，而三星推出了首款NVMe m.2固态硬盘和48层 V-NAND；

SanDisk推出InfinitiFlash存储系统；

赛普拉斯收购半导体厂商Spansion；

2021.1.12

2016年。武汉新芯集成电路制造有限公司在中国开设第一家NAND闪存工厂；

西部数据以190亿美元的价格收购SanDisk；

Everspin宣布推出256MB MRAM芯片和1 Gb芯片；

IBM发布TLC PCM存储芯片；

英特尔向企业级市场发售3D NAND产品，美光改道发售消费级市场SSD。

美光展示768Gb 3D NAND；

2017年

三星与东芝/西部数据发售96层3D NAND，SK海力士发售72层3D NAND；

美光发售与市面上的垂直堆叠有所不同的字符串堆栈3D NAND（可以2*64层成为128层NAND）；

英特尔3D XPoint 有了品牌名，正式发售Optane SSD；

HPE（新华三）收购闪存厂商Nimble和Simplivity；

闪存阵列老牌厂商Violin Memory破产后被私有化（目前已回归存储市场）。

2018年

我国国家集成电路产业投资基金一期针对国内半导体行业投资1387亿元，共公开投资23家国内半导体企业；

紫光旗下长江存储研发32层3D NAND芯片并量产；

美光发售采用1Tb QLC 3D NAND的企业级SSD；

英特尔发布Optane DC（数据中心）持久性内存，三星发布Z-SSD；

经历N轮争夺战后，贝恩资本财团以180亿美元收购东芝闪存业务；

混合闪存初创公司Tintri申请破产，其资产被HPC存储供应商DDN以6000万美元获得。

2019年

英特尔与美光结束NAND Flash方面合作关系，有传英特尔可能会选择新的合作对象，比如SK海力士；

AWS宣布收购基于NVMe over fabric（NVMe-oF）技术的全闪存阵列存储公司E8；

NGD发售计算型存储NVMe SSD。

2020年

长鑫存储宣布研发出DDR4及LPDDR4X，采用19nm制程工艺的DRAM芯片；

长江存储宣布128层QLC 3D NAND闪存颗粒研制成功；

Everspin开始试生产1Gb容量STT-MRAM存储芯片；

赛灵思与三星推出SmartSSD计算型存储硬盘（CSD）；

英伟达以400亿美元收购Arm，有业内分析师认为全球半导体格局可能就此改变；

SK海力士以90亿美元全盘收购英特尔NAND闪存及存储器业务，预计2025年完成；

AMD以350亿美元的价格收购FPGA厂商赛灵思；

Marvell以100亿美元的价格收购模拟芯片制造商Inphi；

2021年

美光宣布终止3D XPoint技术研发，未来将专注开发使用CXL（Compute Express Link标准）内存产品。英特尔将继续以Optane品牌销售3D XPoint产品。

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经历54年岁月洗礼，闪存的“故事”还在继续

2021年，无论是作为十四五规划实施的开局之年，还是疫情缓解后的第一个重要时间节点，面对国内外半导体局势的发展变化，存储企业都需要一个对外发声的舞台，表明自身产品技术发展，共同探讨闪存的技术创新与应用实践。

2021年7月29日〜30日，由百易传媒(DOIT)主办，第五届2021全球闪存峰会将在杭州召开，倾听闪存市场的聚变之声，敬请期待！

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