英特尔秋季IDF第一天：制造技术突飞猛进

2009秋季英特尔信息技术峰会于9月22日至24日在美国旧金山举行。下面是Bob Baker第一天主题演讲的主要内容及新闻亮点。　　　　　　　　　

Bob Baker："引领硅技术创新"（Silicon Leadership – Delivering Innovation）

英特尔高级副总裁兼技术与制造事业部总经理

Bob Baker今天发表主题演讲介绍了英特尔通过新材料、硅技术与制造能力的研究与创新，将摩尔定律不断推向前进的不懈努力。

• 全球第一个可工作的22纳米测试电路：英特尔不懈努力寻求延续摩尔定律，让最终用户受益。英特尔公司发布了半导体制程技术中的又一个新突破，在单个芯片上整合更多的特性和更高的性能。这就是关于全球第一个可工作的22纳米测试电路的演示。两年前英特尔展示了基于前一代32纳米技术可工作的测试电路，而本次峰会则标志着第三代高k金属栅极晶体管的诞生。最新发布的22纳米技术证明了摩尔定律将继续有效，并引领我们前进。

• – 使用 SRAM 作为测试平台，在处理器和其他逻辑芯片使用该制程技术之前证明其技术性能、工艺良率和芯片可靠性。
• – 英特尔22纳米技术现在处于全速发展阶段，按既定步调将"Tick-tock模式"推进到下一代。
• – 该22纳米测试电路包括用于22纳米微处理器的SRAM存储器和逻辑电路。
• – 在364兆位阵列中，有单位面积为0.108平方微米和0.092平方微米的SRAM单元在工作。0.108平方微米的单元为低电压操作而优化；而0.092平方微米的单元为高密度而优化，而且是迄今所知电路中能工作的最小的SRAM单元。该测试芯片在指甲盖大小的面积上整合了29亿个晶体管，密度大约是之前32纳米芯片的两倍。
• – 22纳米技术延续了摩尔定律：晶体管更小，每个晶体管能效（性能/每瓦）更高、成本更低。

• 高k金属栅极技术风靡世界，出货量超过2亿颗：英特尔从2007年第4季度开始出货采用高k金属栅极晶体管的CPU，目前仍是唯一一家具备此能力的公司。目前，采用高k金属栅极晶体管的45纳米CPU出货量已将超过2亿颗。英特尔的32纳米CPU制程技术已经通过认证，而Westmere CPU晶圆已经进入工厂生产线，计划于第四季度向市场推出。英特尔的32纳米技术采用第二代高k金属栅极晶体管，提高了性能并减少了漏电。
• 研发新动向 – 麻省理工学院的特邀嘉宾：Jesus Del Alamo教授来自麻省理工学院电气工程系，他在本次峰会上探讨了化合物半导体的前景，特别是用于未来逻辑制程的所谓III-V材料。他指出，基于III-V材料的晶体管速度，远超过目前的硅晶体管，而工作电压只有目前的一半（具有大幅降低能耗的潜力）。虽然因面临重大挑战而稍显谨慎，但他注意到，全球越来越多的人在解决这些问题，并且已经取得了很快的进展。
• 面向片上系统（SoC）的32纳米技术：英特尔首次开发了全功能的SoC制程技术，以作为CPU专用技术的补充。该版本为手机、移动互联网设备（MID）和嵌入式产品等应用提供了一系列丰富的功能；它还提供这些市场所需的更广泛的性能与能耗选择。
• 优化NAND平台：英特尔SSD固态硬盘在现有的平台和软件上具有强大的性能。英特尔高级院士兼英特尔存储技术部门总监Rick Coulson跟大家探讨了英特尔在未来固态硬盘改进以及SSD和平台的共同优化上的研究方向，力图在更低成本、更低功耗的基础上达到更好的性能。
• 制造能力：英特尔已经大幅改进了供应链，能够积极、快速地响应客户变更订单的请求–响应速度提高了300%。制造周期减少了62%。仅仅在过去的12个月内，从客户下订单到交货的时间缩短了25%。

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