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西数与Kioxia宣布将量产112层 512Gb 3D NAND

最近,西数与Kioxia(原东芝存储,现已独立,中文名字铠侠)宣布第五代3D NAND技术BiCS5研发成功,2020年下半年将开始量产512Gbit TLC NAND,第五代NAND的下一阶段是1Tbit TLC和1.33Tbit QLC。

BiCS5采用的是112层NAND,BiCS4是96层,这是西数和Koxia联合开发的第二代采用串堆叠技术的NAND产品了,有猜测可能是由两层56层的NAND堆起来的。

虽然说从96层提升到112层,直观来看,存储容量提升大约为16%,但西数和Koxia表示存储空间提升了40%(将96层256Gb TLC NAND与112层512Gb TLC NAND相比)。

BiCS5预计将于本季度开始出样,下半年将扩大产能,所以,使用BICS5的产品预计最早在2020年底左右上市。

西数此前曾表示,希望BiCS5转型所需成本能比从64层切换至96层时候低一些,试图扭转世代更新时,成本不断上升的趋势。这意味着,迁移到112层的速度可能会比上一次转换还要慢,预计96层 BiCS4在未来相当长一段时间内仍是主流。

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